Wyświetlacz opakowań do przesyłki waferów azotanu galium GaN
Wysokiej jakości płytki SiC z Chin.
Wymagania te zostały przedstawione w załączniku I do rozporządzenia (WE) nr 1107/2009.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. producent jakości z Chin.
Możemy dostarczyć:
GaN Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gan_epitaxial_wafer-3081161.html
SiC Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
GaAs Epi Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gaas_epi_wafer-3081169.html
Witamy na naszej oficjalnej stronie internetowej: http://www.epi-wafers.com
Wymagania te zostały przedstawione w załączniku I do rozporządzenia (WE) nr 1107/2009.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. producent jakości z Chin.
Możemy dostarczyć:
GaN Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gan_epitaxial_wafer-3081161.html
SiC Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
GaAs Epi Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gaas_epi_wafer-3081169.html
Witamy na naszej oficjalnej stronie internetowej: http://www.epi-wafers.com
Wafel epitaksjalny Sic
Płytki epitaksjalne z węglanu krzemowego
N Typ Sic Wafer Epitaxjalny
Sic Epitaxial Wafer C twarz
Podłoże GaN
-
Niebieski LED GaN na płytce krzemowej Niebieski laserowy GaN płytka epiksyalna
Skontaktuj się teraz -
Fioletowy laser GaN na krzemowym 2 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer
Skontaktuj się teraz -
4 cali 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Rezystywność≥1E9Ω·Cm Dla mocy mikrofalowej
Skontaktuj się teraz -
4 cali 4H-SiC Substrat poziomu P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Rezystywność≥1E5Ω·cm Dla mocy mikrofalowej
Skontaktuj się teraz -
4 calowe podłoże 4H-SiC Poziom P Typ N 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Rezystywność 0,015 Ω•Cm — 0,025 Ω•Cm
Skontaktuj się teraz
Powiązane filmy
625um do 675um 4 Inch Blue LED gallium nitride GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire
Wystawa
October 29, 2024
