Dom Produkty

Wafel epitaksjalny Sic

Najlepsze produkty

Podłoże 350um 4H SiC

Podłoże typu SiC N

6-calowy wafel epitaksjalny SiC

Chiny Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Orientacja powierzchni:Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°

Politypia:Brak Dozwolone
6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um

Nazwa produktu:Podłoże SiC

Forma Kryształu:4 godz

Średnica:150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm
Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Forma Kryształu:4 godz

Krawędź waflowa:fazowanie
Poziom P SI Typ 6 cali 4H SiC Półizolacyjne podłoże 150 mm

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Forma Kryształu:4 godz

Średnica:150,0 mm + 0,0/-0,2 mm
Wafel epitaksjalny 4H SiC Klasa P-MOS 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Średnica:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Orientacja powierzchni:Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°
Podłoże półizolacyjne 150 mm 4H SiC waflowe 6 cali 350 μm

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Forma Kryształu:4 godz

Średnica:150,0 mm + 0,0/-0,2 mm
150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC Bez wtórnego płaskiego 3 mm

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Średnica:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Orientacja powierzchni:Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°
Typ N 6 cali 4H Podłoże z węglika krzemu Podstawowa płaska długość 47,5 mm

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Forma Kryształu:4 godz

Średnica:150,0 mm + 0,0/-0,2 mm
47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do<11-20>±1°

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Średnica:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Orientacja powierzchni:Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°
6 cali 4H SiC Podłoże N Typ P SBD Klasa 350μm

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Forma Kryształu:4 godz

Średnica:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Średnica:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Orientacja powierzchni:Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°
Podłoże SiC poziomu P 2 cale do urządzeń zasilających i urządzeń mikrofalowych

Forma Kryształu:4H-N/S

Nazwa produktu:Specyfikacja podłoża z węglika krzemu (SiC) o średnicy 2 cali

Średnica:50,8 mm ± 0,38 mm

Page 1 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

kategorie wyszukiwania：

Płytka epitaksjalna GaN
Wafel epitaksjalny Sic
Wafel GaAs Epi
Podłoża diamentowe CVD
System szybkiego wyżarzania termicznego
Tester czujnika efektu Halla
Płytka z azotku glinu
Układ diody laserowej
Kryształ węglika krzemu
Wafel Ga2O3
Wafel silikonowy
Szafirowy Opłatek
Wzorzyste podłoża szafirowe
Uchwyt na wafle owe
Maszyna do krojenia wafli

Wafel epitaksjalny Sic

Podłoże 350um 4H SiC

Podłoże typu SiC N

6-calowy wafel epitaksjalny SiC

Chiny Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Poziom P SI Typ 6 cali 4H SiC Półizolacyjne podłoże 150 mm

Wafel epitaksjalny 4H SiC Klasa P-MOS 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm

Podłoże półizolacyjne 150 mm 4H SiC waflowe 6 cali 350 μm

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC Bez wtórnego płaskiego 3 mm

Typ N 6 cali 4H Podłoże z węglika krzemu Podstawowa płaska długość 47,5 mm

47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do<11-20>±1°

6 cali 4H SiC Podłoże N Typ P SBD Klasa 350μm

Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm

Podłoże SiC poziomu P 2 cale do urządzeń zasilających i urządzeń mikrofalowych

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP