Poprosić o wycenę |
Dom Produktyn type sic epitaxial wafer producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

n type sic epitaxial wafer produkcja online

(23)
kupować 6-calowy wafel epitaksjalny SiC w Internecie producent

6-calowy wafel epitaksjalny SiC
Kontakt

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Czytaj więcej
2022-10-09 16:56:20
kupować 47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do<11-20>±1° w Internecie producent

47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do<11-20>±1°
Kontakt

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupować Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm w Internecie producent

Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm
Kontakt

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupować 0,015 Ω•cm — 0,025 Ω•cm Wafel epitaksjalny SiC C-Face Polerowanie optyczne Si-Face CMP w Internecie producent

0,015 Ω•cm — 0,025 Ω•cm Wafel epitaksjalny SiC C-Face Polerowanie optyczne Si-Face CMP
Kontakt

0.015Ω•cm—0.025Ω•cm SiC Epitaxial Wafer C-Face:Optical Polish,Si-Face CMP Overview A SiC wafer is a semiconductor material made of silicon. A silicon carbide wafer is a crystalline material that is made by ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupować 2-calowe urządzenie zasilanie wysokiej mobilności elektronów tranzystora epitaksyjne płytki w Internecie producent

2-calowe urządzenie zasilanie wysokiej mobilności elektronów tranzystora epitaksyjne płytki
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:41:10
kupować Niebieski LED GaN na płytce krzemowej Niebieski laserowy GaN płytka epiksyalna w Internecie producent

Niebieski LED GaN na płytce krzemowej Niebieski laserowy GaN płytka epiksyalna
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:37:25
kupować Bariera AlGaN 4 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer nitryd galiowy GaN-on-Si w Internecie producent

Bariera AlGaN 4 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer nitryd galiowy GaN-on-Si
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:33:44
kupować 6 cali GaN na krzemowym HEMT Epi Wafer Urządzenie zasilanie azotanu galium GaN na Si w Internecie producent

6 cali GaN na krzemowym HEMT Epi Wafer Urządzenie zasilanie azotanu galium GaN na Si
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:38:23
kupować Fioletowy laser GaN na krzemowym 2 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer w Internecie producent

Fioletowy laser GaN na krzemowym 2 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:35:32
kupować 2 cali GaN na krzemowym Blue LD Epi wafer GaN niebieski laser na krzemowym w Internecie producent

2 cali GaN na krzemowym Blue LD Epi wafer GaN niebieski laser na krzemowym
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:35:32
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.