Dom

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Informacje kontaktowe

Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN
(65)

Wafel epitaksjalny Sic
(39)

Wafel GaAs Epi
(15)

Podłoża diamentowe CVD
(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego
(2)

Tester czujnika efektu Halla
(3)

Płytka z azotku glinu
(21)

Układ diody laserowej
(10)

Kryształ węglika krzemu
(12)

Wafel Ga2O3
(13)

Wafel silikonowy
(26)

Szafirowy Opłatek
(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe
(10)

Uchwyt na wafle owe
(1)

Maszyna do krojenia wafli
(5)

Orzecznictwo

Im Online Czat teraz

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Adres :	Budynek 11, Lane 1333, Jiangnan Avenue, Changxing Town, Chongming District, Szanghaj
Adres fabryczne :	Budynek 11, Lane 1333, Jiangnan Avenue, Changxing Town, Chongming District, Szanghaj
Czas pracy :	9：10-18:00(czas Pekinie)
telefon służbowy :	86-18962520616(niedziałające czas)
Skontaktuj się z nami :	Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

Osoba kontaktowa :	Xiwen Bai (Ciel)
telefon służbowy :	+8613372109561
CO SŁYCHAĆ :	+8613372109561
WeChat :	+8613372109561
E-mail :	baixiwen2022@ganova.com.cn

Osoba kontaktowa :	Adela
telefon służbowy :	+8615962257010
E-mail :	daidongyun2020@ganova.com.cn

Szczegóły kontaktu

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Osoba kontaktowa: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Informacje kontaktowe

Płytka epitaksjalna GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Wafel GaAs Epi

Podłoża diamentowe CVD

System szybkiego wyżarzania termicznego

Tester czujnika efektu Halla

Płytka z azotku glinu

Układ diody laserowej

Kryształ węglika krzemu

Wafel Ga2O3

Wafel silikonowy

Szafirowy Opłatek

Wzorzyste podłoża szafirowe

Uchwyt na wafle owe

Maszyna do krojenia wafli

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP