Dom Produkty

Płytka epitaksjalna GaN

Najlepsze produkty

Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Niedomieszkowana płytka epitaksjalna z GaN

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Chiny Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Wymiary:50,8 ± 1 mm

Nazwa produktu:Wolnostojące podłoża GaN

Grubość:350 ±25µm
Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

Wymiary:50,8 ± 1 mm

Grubość:350 ±25µm

kokarda:- 10µm ≤ ŁUK ≤ 10µm
2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wymiary:50,8 ± 1 mm

Grubość:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Wafel półprzewodnikowy z azotku galu 325um 375um C Samolot

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Wymiary:50,8 ± 1 mm

Grubość:350 ±25µm
375 um GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża U-GaN SI-GaN

Nazwa produktu:2-calowe wolnostojące podłoża U-GaN/SI-GaN

Wymiary:50,8 ± 1 mm

Grubość:350 ± 25μm
2-calowe podłoża U GaN Podłoża SI GaN 50,8 mm

Nazwa produktu:2-calowe wolnostojące podłoża U-GaN/SI-GaN

Wymiary:50,8 ± 1 mm

Grubość:350 ± 25μm
Pojedynczy kryształ GaN Epitaksjalny wafel 2-calowy C Face Un Doped N Type

Nazwa produktu:2-calowe wolnostojące podłoża U-GaN/SI-GaN

Wymiary:50,8 ± 1 mm

Grubość:350 ± 25μm
2-calowy wolnostojący półprzewodnikowy wafel z azotku galu o średnicy 50,8 mm

Nazwa produktu:2-calowe wolnostojące podłoża U-GaN/SI-GaN

Chropowatość powierzchni Ga:< 0,2 nm (polerowane) lub < 0,3 nm (polerowane i obrobione powierzchniowo do epitaksji)

Orientacja płaska:(1-100) ± 0,5˚, 16 ± 1 mm
Wolnostojący wafel epitaksjalny U / SI GaN 50,8 mm 350 um

Nazwa produktu:2-calowe wolnostojące podłoża U-GaN/SI-GaN

Wymiary:50,8 ± 1 mm

Grubość:350 ± 25μm
SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um

Nazwa produktu:Wolnostojące podłoża GaN

Grubość:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5x10mm2 GaN płytka epitaksjalna bez domieszki typu SI

Nazwa produktu:Wolnostojące podłoże monokrystaliczne GaN

Grubość:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Wafel z monokrystalicznego azotku galu GaN typu SI

Wymiary:5x10mm²

Nazwa produktu:Wolnostojące podłoża GaN

Grubość:350 ±25µm

Page 1 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

kategorie wyszukiwania：

Płytka epitaksjalna GaN
Wafel epitaksjalny Sic
Wafel GaAs Epi
Podłoża diamentowe CVD
System szybkiego wyżarzania termicznego
Tester czujnika efektu Halla
Płytka z azotku glinu
Układ diody laserowej
Kryształ węglika krzemu
Wafel Ga2O3
Wafel silikonowy
Szafirowy Opłatek
Wzorzyste podłoża szafirowe
Uchwyt na wafle owe
Maszyna do krojenia wafli

Płytka epitaksjalna GaN

Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Niedomieszkowana płytka epitaksjalna z GaN

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Chiny Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel półprzewodnikowy z azotku galu 325um 375um C Samolot

375 um GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża U-GaN SI-GaN

2-calowe podłoża U GaN Podłoża SI GaN 50,8 mm

Pojedynczy kryształ GaN Epitaksjalny wafel 2-calowy C Face Un Doped N Type

2-calowy wolnostojący półprzewodnikowy wafel z azotku galu o średnicy 50,8 mm

Wolnostojący wafel epitaksjalny U / SI GaN 50,8 mm 350 um

SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um

5x10mm2 GaN płytka epitaksjalna bez domieszki typu SI

Wafel z monokrystalicznego azotku galu GaN typu SI

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP