Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sitemap

Płytka epitaksjalna GaN

• 2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący
• Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF
• 2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN
• Wafel półprzewodnikowy z azotku galu 325um 375um C Samolot

Wafel epitaksjalny Sic

• Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um
• 6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um
• Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um
• Poziom P SI Typ 6 cali 4H SiC Półizolacyjne podłoże 150 mm

Wafel GaAs Epi

• 2-calowy GaAs Epi Wafer GaAs Niedomieszkowane substraty VGF
• S-C-N Przewodzą 2-calowe GaAs Niedomieszkowane podłoża Wysoka mobilność elektronów
• 2-calowe GaAs niedomieszkowane substraty GaAs Epi Wafel 0,4E18 do 1E18
• Podłoża VGF GaAs niedomieszkowane 2 cale GaAs Si Domieszka

Podłoża diamentowe CVD

• Podłoża diamentowe klasy elektronicznej CVD Stała dielektryczna 5.5
• XRD
• Podłoża diamentowe CVD 3 X 3 mm2 N Zawartość < 100ppb dla radiatora
• WAF DENY (Your access is blocked by firewall, please contact customer service.)(06/May/2023:17:07:05 +0800 client ip:119.254.30.216,server_ip:192.168.0.252)

System szybkiego wyżarzania termicznego

• System grzewczy RTP-SA-8
• System szybkiego wyżarzania termicznego 150 mm z trzema zestawami gazów procesowych

Tester czujnika efektu Halla

• Tester czujnika Halla z efektem Halla Pomiar rezystywności ruchliwości
• Tester czujnika Halla stężenia nośnika Przemysł półprzewodnikowy
• Materiały półprzewodnikowe Tester czujnika efektu Halla Pomiar stężenia nośnika

Płytka z azotku glinu

• 1-calowy wafel z azotku glinu AlN 400um S / P / R klasy Polerowanie chemiczne
• 25,4 mm 1 cal AlN Pojedynczy kryształ 400um 2H Forma kryształu
• 1-calowy wafel z azotku glinu AlN z pojedynczym kryształem 450um
• Płaszczyzna C AIN na szafirowym waflu jednostronnie lub dwustronnie polerowana

Układ diody laserowej

• Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A
• Układ lasera diodowego COS 915 nm 10 W na konstrukcji podrzędnej
• 915nm Laser Diode Chip Printing Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego
• Rozmiar emitera 94um Chip lasera diodowego na podmontażu Projektowy prąd progowy 0,5 A

Kryształ węglika krzemu

• Podstawowa płaska długość 32,5 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 100,0 mm
• 4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4" P Grade Si Face
• 0,015ohm.cm do 0,028ohm.cm Kryształ węglika krzemu typu N.
• 100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 18,0 mm

Wafel Ga2O3

• FWHM
• Jednostronnie polerowane podłoże Ga2O3 Grubość pojedynczego kryształu 0,6 mm 0,8 mm
• 10x10mm Ga2O3 Wafel 10x15mm Podłoże monokrystaliczne
• Półprzewodnikowe podłoże z monokrystalicznego tlenku galu Doping UID

Wafel silikonowy

• 0,001-100 ohm-cm Płytka krzemowa typu P Domieszka boru
• Urządzenia dyskretne Podłoża Si P/E P/P E/E G/G Wykończenie powierzchni
• Prime 2'' Silicon Wafel Standard
• Mikroelektroniczny 279um krzemowy epitaksjalny wafel podstawowy substrat

Szafirowy Opłatek

• 50 mm Sapphire Wafer R9 Polerowana na lustro krawędź waflowa R9 Ready EPI Typ R
• Thk 430um Sapphire Substrat Orientacja kryształów C/M0.2
• A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished Gotowy na EPI
• Wafel szafirowy o wysokiej czystości Al2O3 50 mm Grubość 430 μm

Wzorzyste podłoża szafirowe

• Kąt płaskiej krawędzi 16 mm Wzorzyste podłoże szafirowe Przednia powierzchnia
• Wzorzysty szafirowy kryształowy wafel 2-calowy szafirowy substrat
• 50,80 mm Wzorzyste podłoża szafirowe 430um Samolot
• Powrót Laserowe wytwarzanie wzorzystego PSS Sapphire Substrat TTV 5um

Uchwyt na wafle owe

• 6-calowy uchwyt na wafle owe do czyszczenia koszy kwiatowych i uchwytów

Maszyna do krojenia wafli

• 0,1 mm / s do 600 mm / s Maszyna do krojenia wafli Zakres cięcia osi X 260 mm
• Maszyna do krojenia wafli krzemowych 260 mm Automatyczna piła do kostkowania
• Automatyczna maszyna do krojenia wafli 8 cali 250 mm × 250 mm 300 mm
• 8-calowa maszyna do krojenia wafli Zakres cięcia osi X 260 mm 1,8 KW 2,2 KW