|
Szczegóły Produktu:
|
| Wymiary: | 50,8 ± 1 mm | Grubość: | 350 ±25µm |
|---|---|---|---|
| TTV: | ≤ 10µm | kokarda: | ≤ 20 μm |
| Gęstość defektów makro: | 0cm⁻² | Powierzchnia użytkowa: | > 90% (wyłączenie krawędzi) |
| Nazwa produktu: | Wolnostojące podłoża GaN | Gęstość dyslokacji: | Od 1x 10⁵ do 3 x 10⁶cm⁻² (obliczone przez CL)* |
| Podkreślić: | Wafel epitaksjalny 350um GaN,wolnostojące podłoża GaN,wafel epitaksjalny GaN 10 X 10 |
||
2 cale C-face domieszkowane Fe wolnostojące podłoże monokrystaliczne GaN typu SI Rezystywność > 106Urządzenia RF Ω·cm
Aby zmniejszyć nośnik wychwytujący Fe i rezystancję arkusza dwuwymiarowego gazu elektronowego generowanego z powierzchni międzyfazowej AlGaN i GaN, zoptymalizowano również stosunek grubości bi-epiwarstw GaN domieszkowanych Fe i niedomieszkowanych.Z powodzeniem opracowano tranzystory AlGaN/GaN o wysokiej ruchliwości elektronów z optymalnym stężeniem domieszkowania GaN domieszkowanego Fe i odpowiednią grubością niedomieszkowanego GaN.
| 2 caleWolnostojąceSI-GaN Ssubstraty | ||||||||
| midoskonałypoziom (S) | Poziom produkcji (A) | Poziom badań (B) | Poziom manekina (C) |
Notatka: (1) Powierzchnia użytkowa: wykluczenie defektów krawędzi i makr (2) 3 punkty: kąty błędnego cięcia pozycji (2, 4, 5) wynoszą 0,35 ± 0,15o |
||||
| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | |||||
| Wymiar | 50,8 ± 1 mm | |||||||
| Grubość | 350 ± 25μm | |||||||
| Orientacja płaska | (1-100) ± 0,5o, 16 ± 1 mm | |||||||
| Płaska orientacja drugorzędna | (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm | |||||||
| Rezystywność (300K) | > 1x106Ω·cm dla półizolacji (domieszkowane Fe; GaN-FS-C-SI-C50) | |||||||
| TTV | ≤ 15 μm | |||||||
| UKŁON | ≤ 20 μm | ≤ 40 μm | ||||||
| Chropowatość powierzchni Ga |
< 0,2 nm (polerowane) lub < 0,3 nm (polerowanie i obróbka powierzchni pod kątem epitaksji) |
|||||||
| Chropowatość powierzchni czołowej N |
0,5 ~ 1,5 μm opcja: 1~3 nm (dokładne szlifowanie);< 0,2 nm (polerowane) |
|||||||
| Pakiet | Pakowane w pomieszczeniu czystym w pojedynczym pojemniku na wafle | |||||||
| Powierzchnia użytkowa | > 90% | >80% | >70% | |||||
| Przemieszczeniegęstość | <9,9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <9,9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <3x106cm-2 | |||
| Orientacja: Płaszczyzna C (0001) poza kątem w kierunku osi M |
0,35 ± 0,15o (3 punkty) |
0,35 ± 0,15o (3 punkty) |
0,35 ± 0,15o (3 punkty) |
|||||
| Gęstość defektów makro (dziura) | 0 cm-2 | < 0,3 cm-2 | < 1 cm-2 | |||||
| Maksymalny rozmiar defektów makro | < 700 μm | < 2000 μm | < 4000 μm | |||||
* Normy krajowe Chin (GB/T32282-2015)
O nas
Specjalizujemy się w przetwarzaniu różnorodnych materiałów na płytki, podłoża i niestandardowe części ze szkła optycznego. Komponenty szeroko stosowane w elektronice, optyce, optoelektronice i wielu innych dziedzinach.Ściśle współpracujemy również z wieloma krajowymi i zamorskimi uniwersytetami, instytucjami badawczymi i firmami, dostarczając niestandardowe produkty i usługi dla ich projektów badawczo-rozwojowych.Naszą wizją jest utrzymywanie dobrych relacji współpracy ze wszystkimi naszymi klientami dzięki naszej dobrej reputacji.
Często zadawane pytania
P: Czy jesteś firmą handlową lub producentem?
Jesteśmy fabryką.
P: Jak długi jest czas dostawy?
Zwykle jest to 3-5 dni, jeśli towary są w magazynie.
lub jest to 7-10 dni, jeśli towarów nie ma w magazynie, jest to zależne od ilości.
P: Czy dostarczasz próbki?to jest darmowe czy dodatkowe?
Tak, możemy zaoferować próbkę za darmo, ale nie płacimy za fracht.
P: Jakie są twoje warunki płatności?
Płatność <= 5000 USD, 100% z góry.
Paymen >=5000USD, 80% T/T z góry, saldo przed wysyłką.
Osoba kontaktowa: Xiwen Bai (Ciel)
Tel: +8613372109561
