Dom Produkty

Wafel Ga2O3

Chiny Wafel Ga2O3

FWHM

Grubość:0,6 ~ 0,8 mm

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu

Orientacja:（010）
Jednostronnie polerowane podłoże Ga2O3 Grubość pojedynczego kryształu 0,6 mm 0,8 mm

Ra:≤0,5 nm

Grubość:0,6 ~ 0,8 mm

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu
10x10mm Ga2O3 Wafel 10x15mm Podłoże monokrystaliczne

Orientacja:（010）(201)

Wymiary:10*10mm; 10*10mm; 10*15mm 10*15mm

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu
Półprzewodnikowe podłoże z monokrystalicznego tlenku galu Doping UID

Grubość:0,6 ~ 0,8 mm

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu

Orientacja:（010）(201)
10x15mm2 UID Domieszkowany wolnostojący wafel Ga2O3 Pojedyncze polerowanie

Grubość:0,6 ~ 0,8 mm

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu

Orientacja:（010）(201)
Ra 0,3 nm Ga2O3 Pojedynczy kryształ Epitaksjalny wafel 2 cale 4 cale

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu

Grubość:0,6 ~ 0,8 mm

Orientacja:（201）
Sn Doping Ga2O3 Wafel Podłoże monokrystaliczne 10x10mm2

Grubość:0,6 ~ 0,8 mm

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu

Orientacja:(201)
Podłoże jednokrystaliczne z domieszką Ga2O3 Fe 10x10mm2 Wolnostojące

FWHM:<350 sekund kątowych

Polerowana powierzchnia:Polerowana jednostronnie

Grubość:0,6 ~ 0,8 mm
Jednostronnie polerowane podłoże monokrystaliczne waflowe Ga2O3

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu

Grubość:0,6 ~ 0,8 mm

Polerowana powierzchnia:Polerowana jednostronnie
0,6 mm 0,8 mm Ga2O3 Pojedyncze polerowanie podłoża monokrystalicznego

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu

Orientacja:(201)

Polerowana powierzchnia:Polerowana jednostronnie
JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Wolnostojący Ga2O3 Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie

Grubość:0,6 ~ 0,8 mm

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu

Orientacja:(101)
JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Wolnostojący Ga2O3 z domieszką Sn Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie

Grubość:0,6 ~ 0,8 mm

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu

Orientacja:（201）

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

kategorie wyszukiwania：

Płytka epitaksjalna GaN
Wafel epitaksjalny Sic
Wafel GaAs Epi
Podłoża diamentowe CVD
System szybkiego wyżarzania termicznego
Tester czujnika efektu Halla
Płytka z azotku glinu
Układ diody laserowej
Kryształ węglika krzemu
Wafel Ga2O3
Wafel silikonowy
Szafirowy Opłatek
Wzorzyste podłoża szafirowe
Uchwyt na wafle owe
Maszyna do krojenia wafli

Wafel Ga2O3

Chiny Wafel Ga2O3

FWHM

Jednostronnie polerowane podłoże Ga2O3 Grubość pojedynczego kryształu 0,6 mm 0,8 mm

10x10mm Ga2O3 Wafel 10x15mm Podłoże monokrystaliczne

Półprzewodnikowe podłoże z monokrystalicznego tlenku galu Doping UID

10x15mm2 UID Domieszkowany wolnostojący wafel Ga2O3 Pojedyncze polerowanie

Ra 0,3 nm Ga2O3 Pojedynczy kryształ Epitaksjalny wafel 2 cale 4 cale

Sn Doping Ga2O3 Wafel Podłoże monokrystaliczne 10x10mm2

Podłoże jednokrystaliczne z domieszką Ga2O3 Fe 10x10mm2 Wolnostojące

Jednostronnie polerowane podłoże monokrystaliczne waflowe Ga2O3

0,6 mm 0,8 mm Ga2O3 Pojedyncze polerowanie podłoża monokrystalicznego

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Wolnostojący Ga2O3 Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie

JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Wolnostojący Ga2O3 z domieszką Sn Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP