Dom Produkty

Układ diody laserowej

Chiny Układ diody laserowej

Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A

typ przesyłki:Montaż powierzchniowy, pakiet standardowy

Typ:Dioda laserowa

Aplikacja:Druk laserowy
Układ lasera diodowego COS 915 nm 10 W na konstrukcji podrzędnej

Typ:Dioda laserowa

Aplikacja:Druk laserowy

typ przesyłki:Montaż powierzchniowy, pakiet standardowy
915nm Laser Diode Chip Printing Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego

typ przesyłki:Montaż powierzchniowy, pakiet standardowy

temperatura robocza:15-55 ℃

Długość fali:915 nm
Rozmiar emitera 94um Chip lasera diodowego na podmontażu Projektowy prąd progowy 0,5 A

Typ:Dioda laserowa

Aplikacja:Druk laserowy

typ przesyłki:Montaż powierzchniowy, pakiet standardowy
Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego Dioda laserowa 1,0 W/A

Typ:Dioda laserowa

Aplikacja:Druk laserowy

temperatura robocza:15-55 ℃
Druk laserowy Dioda laserowa Chip półprzewodnikowy 1,0 W / A Rozmiar emitera 94 μm Długość fali 915 nm

Typ:Dioda laserowa

Aplikacja:Druk laserowy

typ przesyłki:Montaż powierzchniowy, pakiet standardowy
Prąd progowy 0,5 A Efektywność konwersji mocy chipa diody laserowej 58%

Typ:Dioda laserowa

Aplikacja:Druk laserowy

typ przesyłki:Montaż powierzchniowy, pakiet standardowy
Laserowy układ diodowy do drukowania Temperatura robocza 15 do 55 stopni Moc wyjściowa 10 W

Typ:Dioda laserowa

Aplikacja:Druk laserowy

typ przesyłki:Montaż powierzchniowy, pakiet standardowy
Dioda laserowa 94um Wydajność nachylenia chipa 1,0 W / A Długość fali 915 nm

Typ:Dioda laserowa

typ przesyłki:Montaż powierzchniowy, pakiet standardowy

Długość fali:915 nm
0.5A Diody laserowe Chip Drukowanie laserowe Długość fali 915nm Montaż powierzchniowy

Typ:Dioda laserowa

Aplikacja:Druk laserowy

typ przesyłki:Montaż powierzchniowy, pakiet standardowy

Page 1 of 1

kategorie wyszukiwania：

Płytka epitaksjalna GaN
Wafel epitaksjalny Sic
Wafel GaAs Epi
Podłoża diamentowe CVD
System szybkiego wyżarzania termicznego
Tester czujnika efektu Halla
Płytka z azotku glinu
Układ diody laserowej
Kryształ węglika krzemu
Wafel Ga2O3
Wafel silikonowy
Szafirowy Opłatek
Wzorzyste podłoża szafirowe
Uchwyt na wafle owe
Maszyna do krojenia wafli

Układ diody laserowej

Chiny Układ diody laserowej

Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A

Układ lasera diodowego COS 915 nm 10 W na konstrukcji podrzędnej

915nm Laser Diode Chip Printing Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego

Rozmiar emitera 94um Chip lasera diodowego na podmontażu Projektowy prąd progowy 0,5 A

Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego Dioda laserowa 1,0 W/A

Druk laserowy Dioda laserowa Chip półprzewodnikowy 1,0 W / A Rozmiar emitera 94 μm Długość fali 915 nm

Prąd progowy 0,5 A Efektywność konwersji mocy chipa diody laserowej 58%

Laserowy układ diodowy do drukowania Temperatura robocza 15 do 55 stopni Moc wyjściowa 10 W

Dioda laserowa 94um Wydajność nachylenia chipa 1,0 W / A Długość fali 915 nm

0.5A Diody laserowe Chip Drukowanie laserowe Długość fali 915nm Montaż powierzchniowy

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP