Chiny Wafel silikonowy

• 

  0,001-100 ohm-cm Płytka krzemowa typu P Domieszka boru

  Średnica:2"

  Stopień:główny

  metoda wzrostu:CZ

  Skontaktuj się teraz
• 

  Urządzenia dyskretne Podłoża Si P/E P/P E/E G/G Wykończenie powierzchni

  metoda wzrostu:CZ

  Średnica:2"

  Stopień:główny

  Skontaktuj się teraz
• 

  Prime 2'' Silicon Wafel Standard

  Średnica:2"

  Stopień:główny

  metoda wzrostu:CZ

  Skontaktuj się teraz
• 

  Mikroelektroniczny 279um krzemowy epitaksjalny wafel podstawowy substrat

  Stopień:główny

  metoda wzrostu:CZ

  Typ/Domieszka:Typ P/bor, typ N/fos, typ N/As, typ N/Sb

  Skontaktuj się teraz
• 

  Wafel krzemowy typu N Phos 3 "Grubość 279um 380um 525um 625um

  Typ/Domieszka:Typ P/bor, typ N/fos, typ N/As, typ N/Sb

  Grubość (μm):279

  Tolerancja grubości:Standard ± 25 μm, maksymalne możliwości ± 5 μm

  Skontaktuj się teraz
• 

  4 "5" 6 "Si Wafel Typ P / Bor N Typ / Jako typ N / Sb

  Średnica:2"

  Stopień:główny

  metoda wzrostu:CZ

  Skontaktuj się teraz
• 

  Metoda wzrostu CZ Wafel krzemowy 5" Orientacja<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>

  Średnica:2"

  Stopień:główny

  metoda wzrostu:CZ

  Skontaktuj się teraz
• 

  Urządzenia półprzewodnikowe 2-calowy wafel z podłożem krzemowym 8 '' 12''

  Średnica:2"

  Stopień:główny

  metoda wzrostu:CZ

  Skontaktuj się teraz
• 

  Typ N Sb Typ N Jako wafel krzemowy 6 cali 8 cali

  metoda wzrostu:CZ

  Orientacja:<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>

  Typ/Domieszka:Typ P/bor, typ N/fos, typ N/As, typ N/Sb

  Skontaktuj się teraz
• 

  CZ Silicon Semiconductor Wafel 380um 525um 625um

  Orientacja:<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>

  Grubość (μm):279

  Tolerancja grubości:Standard ± 25 μm, maksymalne możliwości ± 5 μm

  Skontaktuj się teraz
• 

  12-calowy wafel krzemowy P Typ Bor N Typ Phos

  Średnica:12"

  Stopień:główny

  metoda wzrostu:CZ

  Skontaktuj się teraz
• 

  Silikonowy 8-calowy wafel Powierzchnia wykończona P/E P/P E/E G/G

  Średnica:8"

  Stopień:główny

  metoda wzrostu:CZ

  Skontaktuj się teraz