JDWY01-001-002 Film o grubości 2 cali (1,2)Um AIN Na Sapphire Wafer DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec

Name: JDWY01-001-002 Film o grubości 2 cali (1,2)Um AIN Na Sapphire Wafer DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDWY01-001-002
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN
(65)

Wafel epitaksjalny Sic
(39)

Wafel GaAs Epi
(15)

Podłoża diamentowe CVD
(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego
(2)

Tester czujnika efektu Halla
(3)

Płytka z azotku glinu
(21)

Układ diody laserowej
(10)

Kryształ węglika krzemu
(12)

Wafel Ga2O3
(13)

Wafel silikonowy
(26)

Szafirowy Opłatek
(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe
(10)

Uchwyt na wafle owe
(1)

Maszyna do krojenia wafli
(5)

Orzecznictwo

Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty

Im Online Czat teraz

JDWY01-001-002 Film o grubości 2 cali (1,2)Um AIN Na Sapphire Wafer DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec

Duży Obraz : JDWY01-001-002 Film o grubości 2 cali (1,2)Um AIN Na Sapphire Wafer DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	Suzhou Chiny
Nazwa handlowa:	GaNova
Orzecznictwo:	UKAS/ISO9001:2015
Numer modelu:	JDWY01-001-002

Zapłata:

Szczegóły pakowania:	Pakowanie próżniowe w środowisku clean room klasy 10000, w kasetach po 25 sztuk lub pojedynczych poj
Zasady płatności:	T/T

Kontakt

JDWY01-001-002 Film o grubości 2 cali (1,2)Um AIN Na Sapphire Wafer DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec

Opis

Grubość:	[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm	Orientacja:	Płaszczyzna C (0001)±1o
Typ przewodzenia:	Półizolujące	Strefa wykluczenia krawędzi:	<2 mm
Chropowatość powierzchni:	Ra<1,5 nm (10*10 μm)	Nazwa produktu:	Płytka z azotku glinu
XRD FWHM z (002):	≤80arcsec, ≤100arcsec, ≤120arcsec, ≤160arcsec	XRD FWHM z (102):	≤650arcsec, ≤550arcsec, ≤450arcsec, ≤400arcsec
Podkreślić:	DSP AIN na płytce szafirowej , XRD FWHM AIN Na Sapphire Wafer

Folia o grubości 2 cali (1,2) um AIN na płytce szafirowej, DSP, XRD FWHM (002) ≤80arcsec(102) ≤650arcsec Dezynfekcja UV, chip LED

Cienka warstwa azotku glinu jest formą materiału półprzewodnikowego.Jest wysoce przewodzący i może wytrzymać wysokie temperatury.Jest również odporny na elektromagnesy i ma wysoką temperaturę wrzenia.W rezultacie jest powszechnie stosowany w telefonach komórkowych i innych urządzeniach elektronicznych.Jednak nie zaleca się przetwarzania azotku glinu na płytkach krzemowych bez odpowiedniego wyżarzania.

Przedmiot	AlN-TCU-C50
Wymiary	φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), powierzchnia aluminiowa, krawędź ustalająca 16,0 ± 1,0 mm
podłoże	Szafir (pojedynczy lub dwustronnie polerowany)
Grubość	1 ~ 5 μm
Orientacja	Płaszczyzna C (0001)±1^o
Typ przewodzenia	Półizolujące
Krystaliczna jakość	Grubość	XRD FWHM z (002)	XRD FWHM z (102)
	[1,2)μm	≤80 sekund łuku	≤650 sekund łuku
	[2,3)μm	≤100 sekund łuku	≤550 sekund łuku
	[3,4)μm	≤120 sekund kątowych	≤450 sekund łuku
	[4,5)μm	≤160 sekund łuku	≤400 sekund łuku
Strefa wykluczenia krawędzi	<2 mm
Chropowatość powierzchni	Ra<1,5 nm (10*10 μm)
Pakiet	Pakowanie próżniowe w środowisku clean room klasy 10000, w kasetach po 25 sztuk lub pojedynczych pojemnikach waflowych.

O nas

Specjalizujemy się w przetwarzaniu różnorodnych materiałów na płytki, podłoża i niestandardowe części ze szkła optycznego. Komponenty szeroko stosowane w elektronice, optyce, optoelektronice i wielu innych dziedzinach.Ściśle współpracujemy również z wieloma krajowymi i zamorskimi uniwersytetami, instytucjami badawczymi i firmami, dostarczając niestandardowe produkty i usługi dla ich projektów badawczo-rozwojowych.Naszą wizją jest utrzymywanie dobrych relacji współpracy ze wszystkimi naszymi klientami dzięki naszej dobrej reputacji.

Często zadawane pytania

P: Czy jesteś firmą handlową lub producentem?
Jesteśmy fabryką.
P: Jak długi jest czas dostawy?
Zwykle jest to 3-5 dni, jeśli towary są w magazynie.
lub jest to 7-10 dni, jeśli towarów nie ma w magazynie, jest to zależne od ilości.
P: Czy dostarczasz próbki?to jest darmowe czy dodatkowe?
Tak, możemy zaoferować próbkę za darmo, ale nie płacimy za fracht.
P: Jakie są twoje warunki płatności?
Płatność <= 5000 USD, 100% z góry.
Paymen >=5000USD, 80% T/T z góry, saldo przed wysyłką.

Etykietka:

Szafirowy azotek glinu Wa,

wafel z azotku glinu ISO,

polerowane wafle szafirowe

Szczegóły kontaktu

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Osoba kontaktowa: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Inne produkty

1-calowy wafel z azotku glinu AlN 400um S / P / R klasy Polerowanie chemiczne

Nazwa produktu: Monokryształ AlN

Chropowatość: Powierzchnia Al: ≤0,5 nm Powierzchnia N (tył): ≤1,2 μm

Wygląd: Okrągła krawędź pozycjonująca pas

TUA: ≥90%

25,4 mm 1 cal AlN Pojedynczy kryształ 400um 2H Forma kryształu

Wygląd: Okrągła krawędź pozycjonująca pas

Nazwa produktu: Płytka z azotku glinu

Średnica (mm): 25,4±0,5

Grubość (μm): 400±50

1-calowy wafel z azotku glinu AlN z pojedynczym kryształem 450um

TUA: ≥90%

Politypia: {0001}±0,5°

Nazwa produktu: Płytka z azotku glinu

Średnica: 25,4 ± 0,5 mm

Płaszczyzna C AIN na szafirowym waflu jednostronnie lub dwustronnie polerowana

Wymiary: φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), powierzchnia aluminiowa, krawędź ustalająca 16,0 ± 1,0 mm

podłoże: Szafir (jednostronnie lub dwustronnie polerowany)

Typ przewodzenia: Półizolujące

Strefa wykluczenia krawędzi: <2 mm

Półizolacyjny wafel z azotku glinu AIN na szafirowej powierzchni wafla

Wymiary: φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), powierzchnia aluminiowa, krawędź ustalająca 16,0 ± 1,0 mm

podłoże: Szafir (jednostronnie lub dwustronnie polerowany)

Typ przewodzenia: Półizolujące

Strefa wykluczenia krawędzi: <2 mm

JDWY01-001-002 Film o grubości 2 cali (1,2)Um AIN Na Sapphire Wafer DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec

Płytka epitaksjalna GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Wafel GaAs Epi

Podłoża diamentowe CVD

System szybkiego wyżarzania termicznego

Tester czujnika efektu Halla

Płytka z azotku glinu

Układ diody laserowej

Kryształ węglika krzemu

Wafel Ga2O3

Wafel silikonowy

Szafirowy Opłatek

Wzorzyste podłoża szafirowe

Uchwyt na wafle owe

Maszyna do krojenia wafli

JDWY01-001-002 Film o grubości 2 cali (1,2)Um AIN Na Sapphire Wafer DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec

JDWY01-001-002 Film o grubości 2 cali (1,2)Um AIN Na Sapphire Wafer DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec

DSP AIN na płytce szafirowej

XRD FWHM AIN Na Sapphire Wafer

Szafirowy azotek glinu Wa,

wafel z azotku glinu ISO,

polerowane wafle szafirowe

1-calowy wafel z azotku glinu AlN 400um S / P / R klasy Polerowanie chemiczne

25,4 mm 1 cal AlN Pojedynczy kryształ 400um 2H Forma kryształu

1-calowy wafel z azotku glinu AlN z pojedynczym kryształem 450um

Płaszczyzna C AIN na szafirowym waflu jednostronnie lub dwustronnie polerowana

Półizolacyjny wafel z azotku glinu AIN na szafirowej powierzchni wafla

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP