ALN 10*10mm2 AlN jednokrystaliczny 400±50μM S/P/R Grade

Name: ALN 10*10mm2 AlN jednokrystaliczny 400±50μM S/P/R Grade
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD02-001-004
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN
(65)

Wafel epitaksjalny Sic
(39)

Wafel GaAs Epi
(15)

Podłoża diamentowe CVD
(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego
(2)

Tester czujnika efektu Halla
(3)

Płytka z azotku glinu
(21)

Układ diody laserowej
(10)

Kryształ węglika krzemu
(12)

Wafel Ga2O3
(13)

Wafel silikonowy
(26)

Szafirowy Opłatek
(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe
(10)

Uchwyt na wafle owe
(1)

Maszyna do krojenia wafli
(5)

Orzecznictwo

Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty

Im Online Czat teraz

ALN 10*10mm2 AlN jednokrystaliczny 400±50μM S/P/R Grade

Duży Obraz : ALN 10*10mm2 AlN jednokrystaliczny 400±50μM S/P/R Grade

Szczegóły Produktu:

Nazwa handlowa:	GaNova
Numer modelu:	JDCD02-001-004

Zapłata:

Minimalne zamówienie:	1
Szczegóły pakowania:	Pakowanie próżniowe w środowisku clean room klasy 10000, w kasetach po 25 sztuk lub pojedynczych poj
Zasady płatności:	T/T

Kontakt

ALN 10*10mm2 AlN jednokrystaliczny 400±50μM S/P/R Grade

Opis

Średnica:	10 mm x 10 mm	Grubość (μm):	400±50
Forma Kryształu:	2H	Politypia:	{0001}±0,5°
Węglowodany:	Twarz Al: ≤0,5 nm Twarz N (tył): ≤1,2 μm	polerowanie powierzchni:	Powierzchnia aluminiowa: polerowanie chemiczne (podwójne
Podkreślić:	płytki z azotanu aluminium ALN , Wafer z azotanu aluminium 2H , 10*10mm2 płytki aluminiowej

Podłoże AlN jest jednym z najpopularniejszych podłoży ceramicznych, które charakteryzuje się doskonałą odpornością na ciepło, wysoką wytrzymałością mechaniczną, odpornością na ścieranie i niewielkimi stratami dielektrycznymi.Powierzchnia podłoża AlN jest dość gładka i mało porowata.Azotek glinu ma wyższą przewodność cieplną w porównaniu z podłożem z tlenku glinu, jest około 7 do 8 razy wyższy.Podłoże AlN jest doskonałym materiałem na opakowania elektroniczne.

Cienka warstwa azotku glinu to warstwa aluminium odporna na działanie wysokich temperatur.Podczas wysokich temperatur ta warstwa aluminium pomoże chronić materiał.W środowiskach o wysokim ciśnieniu może być niestabilny.Może wytrzymać zakres temperatur do 980 stopni C.Na niższych poziomach może być toksyczny dla ludzi.Jest również stosowany w telefonach komórkowych.Jego właściwości są niezwykle różnorodne.

*1010mm² Podłoże monokrystaliczne z azotku glinu**
Specyfikacje kryształów	Wartość parametru
Średnica (mm)	10x10
Grubość (μm)	400±50
Forma Kryształu	2H
Politypia	{0001}±0,5°
Polerowanie powierzchni	Powierzchnia aluminiowa: polerowanie chemiczne (podwójne polerowanie można dostosować)
Chropowatość	Al twarz: ≤0,5 nm N twarz (tył): ≤1,2 μm
wygląd	kwadratowy kształt
Stopień jakości	Klasa S (Super)	Klasa P (produkcja)	Klasa R (badania)
HRXRD Szerokość w połowie wysokości @{0002}(sek. łuku)	≤150	≤300	≤500
HRXRD Szerokość w połowie wysokości @{10-12}(sek. łuku)	≤100	≤200	≤400
współczynnik absorpcji przy 265 nm (cm^-1)	≤50	≤70	≤100
Wyłączenie krawędzi (mm)	1	1	1
Wcięcia	无	无	无
Frytki	无	无	≤3 Łącznie ≤1,0 mm
TUA	≥90%
TTV(μm)	≤30
Osnowa (μm)	≤30
Łuk (μm)	≤30
Pęknięcia	Nie, gołym okiem, mocne światło
Zanieczyszczenie	Nie, gołym okiem, promieniowanie
pakiet	Pudełko na wafle monolityczne

O nas

Specjalizujemy się w przetwarzaniu różnorodnych materiałów na płytki, podłoża i niestandardowe części ze szkła optycznego. Komponenty szeroko stosowane w elektronice, optyce, optoelektronice i wielu innych dziedzinach.Ściśle współpracujemy również z wieloma krajowymi i zamorskimi uniwersytetami, instytucjami badawczymi i firmami, dostarczając niestandardowe produkty i usługi dla ich projektów badawczo-rozwojowych.Naszą wizją jest utrzymywanie dobrych relacji współpracy ze wszystkimi naszymi klientami dzięki naszej dobrej reputacji.

Często zadawane pytania

P: Czy jesteś firmą handlową lub producentem?
Jesteśmy fabryką.
P: Jak długi jest czas dostawy?
Zwykle jest to 3-5 dni, jeśli towary są w magazynie.
lub jest to 7-10 dni, jeśli towarów nie ma w magazynie, jest to zależne od ilości.
P: Czy dostarczasz próbki?to jest darmowe czy dodatkowe?
Tak, możemy zaoferować próbkę za darmo, ale nie płacimy za fracht.
P: Jakie są twoje warunki płatności?
Płatność <= 5000 USD, 100% z góry.
Paymen >=5000USD, 80% T/T z góry, saldo przed wysyłką.

Etykietka:

szafirowy azotek glinu Wa,

Płytka z azotku glinu ISO,

polerowane płytki szafirowe

Etykietka:

Szafirowy azotek glinu Wa,

wafel z azotku glinu ISO,

polerowane wafle szafirowe

Szczegóły kontaktu

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Osoba kontaktowa: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Inne produkty

1-calowy wafel z azotku glinu AlN 400um S / P / R klasy Polerowanie chemiczne

Nazwa produktu: Monokryształ AlN

Chropowatość: Powierzchnia Al: ≤0,5 nm Powierzchnia N (tył): ≤1,2 μm

Wygląd: Okrągła krawędź pozycjonująca pas

TUA: ≥90%

25,4 mm 1 cal AlN Pojedynczy kryształ 400um 2H Forma kryształu

Wygląd: Okrągła krawędź pozycjonująca pas

Nazwa produktu: Płytka z azotku glinu

Średnica (mm): 25,4±0,5

Grubość (μm): 400±50

1-calowy wafel z azotku glinu AlN z pojedynczym kryształem 450um

TUA: ≥90%

Politypia: {0001}±0,5°

Nazwa produktu: Płytka z azotku glinu

Średnica: 25,4 ± 0,5 mm

Płaszczyzna C AIN na szafirowym waflu jednostronnie lub dwustronnie polerowana

Wymiary: φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), powierzchnia aluminiowa, krawędź ustalająca 16,0 ± 1,0 mm

podłoże: Szafir (jednostronnie lub dwustronnie polerowany)

Typ przewodzenia: Półizolujące

Strefa wykluczenia krawędzi: <2 mm

Półizolacyjny wafel z azotku glinu AIN na szafirowej powierzchni wafla

Wymiary: φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), powierzchnia aluminiowa, krawędź ustalająca 16,0 ± 1,0 mm

podłoże: Szafir (jednostronnie lub dwustronnie polerowany)

Typ przewodzenia: Półizolujące

Strefa wykluczenia krawędzi: <2 mm

ALN 10*10mm2 AlN jednokrystaliczny 400±50μM S/P/R Grade

Płytka epitaksjalna GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Wafel GaAs Epi

Podłoża diamentowe CVD

System szybkiego wyżarzania termicznego

Tester czujnika efektu Halla

Płytka z azotku glinu

Układ diody laserowej

Kryształ węglika krzemu

Wafel Ga2O3

Wafel silikonowy

Szafirowy Opłatek

Wzorzyste podłoża szafirowe

Uchwyt na wafle owe

Maszyna do krojenia wafli

ALN 10*10mm2 AlN jednokrystaliczny 400±50μM S/P/R Grade

ALN 10*10mm2 AlN jednokrystaliczny 400±50μM S/P/R Grade

płytki z azotanu aluminium ALN

Wafer z azotanu aluminium 2H

10*10mm2 płytki aluminiowej

szafirowy azotek glinu Wa,

Płytka z azotku glinu ISO,

polerowane płytki szafirowe

Szafirowy azotek glinu Wa,

wafel z azotku glinu ISO,

polerowane wafle szafirowe

1-calowy wafel z azotku glinu AlN 400um S / P / R klasy Polerowanie chemiczne

25,4 mm 1 cal AlN Pojedynczy kryształ 400um 2H Forma kryształu

1-calowy wafel z azotku glinu AlN z pojedynczym kryształem 450um

Płaszczyzna C AIN na szafirowym waflu jednostronnie lub dwustronnie polerowana

Półizolacyjny wafel z azotku glinu AIN na szafirowej powierzchni wafla

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP