Poprosić o wycenę |
Dom Produktyled sapphire substrate r9 producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

led sapphire substrate r9 produkcja online

(13)
kupić Typ R 50 mm szafirowa grubość płytki 420 μm OF długość (mm) 16 chipów LED w Internecie producent

Typ R 50 mm szafirowa grubość płytki 420 μm OF długość (mm) 16 chipów LED
Kontakt

50mm Sapphire Substrate Wafer High Purity Al2O3(＞99.995%) Thickness 430 ± 10 μm JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430um, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip... Czytaj więcej
2023-02-17 11:23:22
kupić Optoelektronika Polerowanie Sapphire Crystal Wafer Typ R w Internecie producent

Optoelektronika Polerowanie Sapphire Crystal Wafer Typ R
Kontakt

Thk 430μm 50mm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Czytaj więcej
2023-02-17 11:22:48
kupić A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished Gotowy na EPI w Internecie producent

A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished Gotowy na EPI
Kontakt

A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Czytaj więcej
2023-02-17 10:18:27
Page 2 of 2|< 1 2 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.