Silikonowy 8-calowy wafel Powierzchnia wykończona P/E P/P E/E G/G

Name: Silikonowy 8-calowy wafel Powierzchnia wykończona P/E P/P E/E G/G
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD06-001-002
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN
(65)

Wafel epitaksjalny Sic
(39)

Wafel GaAs Epi
(15)

Podłoża diamentowe CVD
(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego
(2)

Tester czujnika efektu Halla
(3)

Płytka z azotku glinu
(21)

Układ diody laserowej
(10)

Kryształ węglika krzemu
(12)

Wafel Ga2O3
(13)

Wafel silikonowy
(26)

Szafirowy Opłatek
(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe
(10)

Uchwyt na wafle owe
(1)

Maszyna do krojenia wafli
(5)

Orzecznictwo

Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty

Im Online Czat teraz

Silikonowy 8-calowy wafel Powierzchnia wykończona P/E P/P E/E G/G

Duży Obraz : Silikonowy 8-calowy wafel Powierzchnia wykończona P/E P/P E/E G/G

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	Suzhou Chiny
Nazwa handlowa:	GaNova
Orzecznictwo:	UKAS/ISO9001:2015
Numer modelu:	JDCD06-001-002

Zapłata:

Minimalne zamówienie:	1
Szczegóły pakowania:	Pakowanie próżniowe w środowisku clean room klasy 10000, w kasetach po 25 sztuk lub pojedynczych poj
Czas dostawy:	3-4 dni tygodnia
Zasady płatności:	T/T
Możliwość Supply:	50000 sztuk/miesiąc

Kontakt

Silikonowy 8-calowy wafel Powierzchnia wykończona P/E P/P E/E G/G

Opis

Średnica:	8"	Stopień:	główny
metoda wzrostu:	CZ	Grubość (μm):	725
Oporność:	0,001-100 om-cm	Powierzchnia wykończona:	P/E, P/P, E/E, G/G
Łuk/Osnowa:	Standard	Cząstka:	<10@0.5μm; <10 @ 0,5 μm; <10@0.3μm; <10 @ 0,3 μm; <10@
Podkreślić:	Silikonowy 8-calowy wafel , podłoże silikonowe P/P , 8-calowy wafel P/E

2-calowe urządzenia MEMS z płytką krzemową, układy scalone, dedykowane podłoża do urządzeń dyskretnych

Przegląd

W życiu codziennym rzadko spotykamy płytki krzemowe, ale są one używane w każdym urządzeniu elektronicznym i są nam niezbędne w życiu.
Wszelkiego rodzaju innowacje technologiczne umożliwiły ewolucyjny rozwój urządzeń elektronicznych, które niezmiernie wzbogaciły nasze życie i znacznie ułatwiły postęp kulturowy.

Specyfikacja

wafelek silikonowy
Średnica	2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Stopień	główny
Wzrost metoda	CZ
Orientacja	<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
Typ/Domieszka	Typ P/bor, typ N/fos, typ N/As, typ N/Sb
Grubość (μm)	279/380/525/625/675/725/775
Grubość Tolerancja	Standard ± 25 μm, maksymalna wydajność ± 5 μm
Oporność	0,001-100 om-cm
Powierzchnia Skończone	P/E, P/P, E/E, G/G
TTV(μm)	Standard <10 um, maksymalne możliwości <5 um
Łuk/Osnowa	Standard <40 um, Maksymalne możliwości <20 um
Cząstka	<10@0,5um;<10@0,3um;<10@0,2um;

O nas

Specjalizujemy się w przetwarzaniu różnorodnych materiałów na płytki, podłoża i niestandardowe części ze szkła optycznego. Komponenty szeroko stosowane w elektronice, optyce, optoelektronice i wielu innych dziedzinach.Ściśle współpracujemy również z wieloma krajowymi i zamorskimi uniwersytetami, instytucjami badawczymi i firmami, dostarczając niestandardowe produkty i usługi dla ich projektów badawczo-rozwojowych.Naszą wizją jest utrzymywanie dobrych relacji współpracy ze wszystkimi naszymi klientami dzięki naszej dobrej reputacji.

Często zadawane pytania

P: Czy jesteś firmą handlową lub producentem?
Jesteśmy fabryką.
P: Jak długi jest czas dostawy?
Zwykle jest to 3-5 dni, jeśli towary są w magazynie.
lub jest to 7-10 dni, jeśli towarów nie ma w magazynie, jest to zależne od ilości.
P: Czy dostarczasz próbki?to jest darmowe czy dodatkowe?
Tak, możemy zaoferować próbkę za darmo, ale nie płacimy za fracht.
P: Jakie są twoje warunki płatności?
Płatność <= 5000 USD, 100% z góry.
Paymen >=5000USD, 80% T/T z góry, saldo przed wysyłką.

Etykietka:

Osoba kontaktowa: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Inne produkty

0,001-100 ohm-cm Płytka krzemowa typu P Domieszka boru

Średnica: 2"

Stopień: główny

metoda wzrostu: CZ

Orientacja: <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>

Urządzenia dyskretne Podłoża Si P/E P/P E/E G/G Wykończenie powierzchni

metoda wzrostu: CZ

Średnica: 2"

Stopień: główny

Orientacja: <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>

Prime 2'' Silicon Wafel Standard

Średnica: 2"

Stopień: główny

metoda wzrostu: CZ

Oporność: 0,001-100 om-cm

Mikroelektroniczny 279um krzemowy epitaksjalny wafel podstawowy substrat

Stopień: główny

metoda wzrostu: CZ

Typ/Domieszka: Typ P/bor, typ N/fos, typ N/As, typ N/Sb

Grubość (μm): 279

Wafel krzemowy typu N Phos 3 "Grubość 279um 380um 525um 625um

Typ/Domieszka: Typ P/bor, typ N/fos, typ N/As, typ N/Sb

Grubość (μm): 279

Tolerancja grubości: Standard ± 25 μm, maksymalne możliwości ± 5 μm

Oporność: 0,001-100 om-cm

Silikonowy 8-calowy wafel Powierzchnia wykończona P/E P/P E/E G/G

Płytka epitaksjalna GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Wafel GaAs Epi

Podłoża diamentowe CVD

System szybkiego wyżarzania termicznego

Tester czujnika efektu Halla

Płytka z azotku glinu

Układ diody laserowej

Kryształ węglika krzemu

Wafel Ga2O3

Wafel silikonowy

Szafirowy Opłatek

Wzorzyste podłoża szafirowe

Uchwyt na wafle owe

Maszyna do krojenia wafli

Silikonowy 8-calowy wafel Powierzchnia wykończona P/E P/P E/E G/G

Silikonowy 8-calowy wafel Powierzchnia wykończona P/E P/P E/E G/G

Silikonowy 8-calowy wafel

podłoże silikonowe P/P

8-calowy wafel P/E

Wafel krzemowy typu N,

podłoże krzemowe typu p,

wafel krzemowy CZ

0,001-100 ohm-cm Płytka krzemowa typu P Domieszka boru

Urządzenia dyskretne Podłoża Si P/E P/P E/E G/G Wykończenie powierzchni

Prime 2'' Silicon Wafel Standard

Mikroelektroniczny 279um krzemowy epitaksjalny wafel podstawowy substrat

Wafel krzemowy typu N Phos 3 "Grubość 279um 380um 525um 625um

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP