Poprosić o wycenę |
Dom Produktyaluminum nitride wafer iso producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

aluminum nitride wafer iso produkcja online

(3)
kupić Półizolacyjny wafel z azotku glinu AIN na szafirowej powierzchni wafla w Internecie producent

Półizolacyjny wafel z azotku glinu AIN na szafirowej powierzchni wafla
Kontakt

2 Inch Thick Film (1,2)μm AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV Disinfection LED Chip A thin film of aluminum nitride is a layer of aluminum that is resistant to high temperatur... Czytaj więcej
2022-09-27 15:39:57
kupić 1 cali AlN płytka jednokrystaliczna 400±50μM S/P/R Grade w Internecie producent

1 cali AlN płytka jednokrystaliczna 400±50μM S/P/R Grade
Kontakt

AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:50:21
kupić ALN 10*10mm2 AlN jednokrystaliczny 400±50μM S/P/R Grade w Internecie producent

ALN 10*10mm2 AlN jednokrystaliczny 400±50μM S/P/R Grade
Kontakt

AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:49:47
Page 1 of 1
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.