Dom Produktyhigh power laser diode chip producent online

Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN
(61)

Wafel epitaksjalny Sic
(28)

Wafel GaAs Epi
(15)

Podłoża diamentowe CVD
(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego
(2)

Tester czujnika efektu Halla
(3)

Płytka z azotku glinu
(21)

Układ diody laserowej
(10)

Kryształ węglika krzemu
(12)

Wafel Ga2O3
(13)

Wafel silikonowy
(26)

Szafirowy Opłatek
(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe
(10)

Uchwyt na wafle owe
(1)

Maszyna do krojenia wafli
(5)

Orzecznictwo

Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty

Im Online Czat teraz

high power laser diode chip produkcja online

(12)

Dioda laserowa 94um Wydajność nachylenia chipa 1,0 W / A Długość fali 915 nm
Kontakt

Czytaj więcej

2022-10-09 10:04:51

Prąd progowy 0,5 A Efektywność konwersji mocy chipa diody laserowej 58%
Kontakt

Czytaj więcej

2022-09-22 15:12:40

Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego Dioda laserowa 1,0 W/A
Kontakt

Czytaj więcej

2022-09-22 15:13:00

0.5A Diody laserowe Chip Drukowanie laserowe Długość fali 915nm Montaż powierzchniowy
Kontakt

Czytaj więcej

2022-09-22 15:04:02

915nm Laser Diode Chip Printing Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego
Kontakt

Czytaj więcej

2022-09-22 15:13:16

Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A
Kontakt

Czytaj więcej

2022-09-22 15:13:34

Laserowy układ diodowy do drukowania Temperatura robocza 15 do 55 stopni Moc wyjściowa 10 W
Kontakt

Czytaj więcej

2022-09-22 15:09:34

Druk laserowy Dioda laserowa Chip półprzewodnikowy 1,0 W / A Rozmiar emitera 94 μm Długość fali 915 nm
Kontakt

Czytaj więcej

2022-09-22 15:10:25

Rozmiar emitera 94um Chip lasera diodowego na podmontażu Projektowy prąd progowy 0,5 A
Kontakt

Czytaj więcej

2022-09-26 11:34:28

Układ lasera diodowego COS 915 nm 10 W na konstrukcji podrzędnej
Kontakt

Czytaj więcej

2022-09-22 15:11:09

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Płytka epitaksjalna GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Wafel GaAs Epi

Podłoża diamentowe CVD

System szybkiego wyżarzania termicznego

Tester czujnika efektu Halla

Płytka z azotku glinu

Układ diody laserowej

Kryształ węglika krzemu

Wafel Ga2O3

Wafel silikonowy

Szafirowy Opłatek

Wzorzyste podłoża szafirowe

Uchwyt na wafle owe

Maszyna do krojenia wafli

high power laser diode chip produkcja online

Dioda laserowa 94um Wydajność nachylenia chipa 1,0 W / A Długość fali 915 nm
Kontakt

Prąd progowy 0,5 A Efektywność konwersji mocy chipa diody laserowej 58%
Kontakt

Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego Dioda laserowa 1,0 W/A
Kontakt

0.5A Diody laserowe Chip Drukowanie laserowe Długość fali 915nm Montaż powierzchniowy
Kontakt

915nm Laser Diode Chip Printing Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego
Kontakt

Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A
Kontakt

Laserowy układ diodowy do drukowania Temperatura robocza 15 do 55 stopni Moc wyjściowa 10 W
Kontakt

Druk laserowy Dioda laserowa Chip półprzewodnikowy 1,0 W / A Rozmiar emitera 94 μm Długość fali 915 nm
Kontakt

Rozmiar emitera 94um Chip lasera diodowego na podmontażu Projektowy prąd progowy 0,5 A
Kontakt

Układ lasera diodowego COS 915 nm 10 W na konstrukcji podrzędnej
Kontakt

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP