Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A

Name: Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN
(65)

Wafel epitaksjalny Sic
(39)

Wafel GaAs Epi
(15)

Podłoża diamentowe CVD
(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego
(2)

Tester czujnika efektu Halla
(3)

Płytka z azotku glinu
(21)

Układ diody laserowej
(10)

Kryształ węglika krzemu
(12)

Wafel Ga2O3
(13)

Wafel silikonowy
(26)

Szafirowy Opłatek
(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe
(10)

Uchwyt na wafle owe
(1)

Maszyna do krojenia wafli
(5)

Orzecznictwo

Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty

Im Online Czat teraz

Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A

Duży Obraz : Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	Suzhou Chiny
Nazwa handlowa:	GaNova

Zapłata:

Szczegóły pakowania:	Pakowanie próżniowe w środowisku clean room klasy 10000, w kasetach po 25 sztuk lub pojedynczych poj
Zasady płatności:	T/T

Kontakt

Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A

Opis

typ przesyłki:	Montaż powierzchniowy, pakiet standardowy	Typ:	Dioda laserowa
Aplikacja:	Druk laserowy	temperatura robocza:	15-55 ℃
Długość fali:	915 nm	Moc wyjściowa:	10
Wydajność nachylenia:	1,0 W/A	Rozmiar emitera:	94μm
Podkreślić:	Układ diody laserowej 0 , 5 A , układ diody laserowej 915 nm na podmontowaniu

Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A

Układ lasera diodowego COS 915 nm 10 W na konstrukcji podrzędnej

Źródło światła jest zintegrowane poprzez łączenie typu flip-chip bezpośrednio z podłożem Si, co pozwala na pracę w wysokich temperaturach, a konwertery wielkości plamki są wykorzystywane do wydajnego łączenia z falowodem Si.Struktura InGaAs/InP metal-półprzewodnik-metal (MSM) została zintegrowana przy użyciu technik łączenia płytek i wykorzystana do fotodetekcji, przy czym zademonstrowano wysoką responsywność.

Optyczny
Środkowa długość fali	915 nm
Moc wyjściowa	10 W
Szerokość widmowa FWHM	≤6 nm
Wydajność nachylenia	1,0 W/A
Szybka rozbieżność osi	60 stopni
Powolna dywergencja osi	11 stopni
Tryb polaryzacji	TE
Rozmiar emitera	94um
Elektryczny
Prąd progowy	0,5A
Prąd roboczy	12A
Napięcie robocze	1,65 V
Wydajność konwersji energii	58%
Termiczny
temperatura robocza	15-55 ℃
Temperatura przechowywania	-30-70℃
Temp. długości faliWspółczynnik	0,3 nm/℃

Rysunek

Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A 0

Często zadawane pytania

P1: Jakie metody płatności obsługujecie?
T/T i Western Union, do wyboru

P2: jak długo mogę otrzymać paczkę?
Zwykle 1-2 tygodnie FedEx, DHL Express, UPS, TNT

P3: Jaki jest czas realizacji?
Standardowy produkt jest w magazynie.Wysyłka ekspresową w ciągu 3 ~ 4 dni roboczych.Dostosowany stos potrzebuje 15 dni roboczych.

P4: Czy jesteś firmą handlową lub producentem?
Jesteśmy producentem z ponad 11-letnim doświadczeniem, a także zapewniamy rozwiązania techniczne dla wszystkich klientów.

P5: Czy możesz zagwarantować swoją jakość?
Oczywiście jesteśmy jednym z najlepszych renomowanych producentów w Chinach.Jakość jest dla nas najważniejsza, przywiązujemy dużą wagę do naszej reputacji.Najlepsza jakość jest naszą zasadą przez cały czas.

Etykietka:

Osoba kontaktowa: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Inne produkty

Układ lasera diodowego COS 915 nm 10 W na konstrukcji podrzędnej

Typ: Dioda laserowa

Aplikacja: Druk laserowy

typ przesyłki: Montaż powierzchniowy, pakiet standardowy

temperatura robocza: 15-55 ℃

915nm Laser Diode Chip Printing Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego

typ przesyłki: Montaż powierzchniowy, pakiet standardowy

temperatura robocza: 15-55 ℃

Długość fali: 915 nm

Moc wyjściowa: 10

Rozmiar emitera 94um Chip lasera diodowego na podmontażu Projektowy prąd progowy 0,5 A

Typ: Dioda laserowa

Aplikacja: Druk laserowy

typ przesyłki: Montaż powierzchniowy, pakiet standardowy

temperatura robocza: 15-55 ℃

Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego Dioda laserowa 1,0 W/A

Typ: Dioda laserowa

Aplikacja: Druk laserowy

temperatura robocza: 15-55 ℃

Moc wyjściowa: 10

Druk laserowy Dioda laserowa Chip półprzewodnikowy 1,0 W / A Rozmiar emitera 94 μm Długość fali 915 nm

Typ: Dioda laserowa

Aplikacja: Druk laserowy

typ przesyłki: Montaż powierzchniowy, pakiet standardowy

temperatura robocza: 15-55 ℃

Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A

Płytka epitaksjalna GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Wafel GaAs Epi

Podłoża diamentowe CVD

System szybkiego wyżarzania termicznego

Tester czujnika efektu Halla

Płytka z azotku glinu

Układ diody laserowej

Kryształ węglika krzemu

Wafel Ga2O3

Wafel silikonowy

Szafirowy Opłatek

Wzorzyste podłoża szafirowe

Uchwyt na wafle owe

Maszyna do krojenia wafli

Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A

Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A

Układ diody laserowej 0

5 A

układ diody laserowej 915 nm na podmontowaniu

Układ diody laserowej dużej mocy,

układ diody półprzewodnikowej,

układ lasera diodowego na płycie montażowej

Układ lasera diodowego COS 915 nm 10 W na konstrukcji podrzędnej

915nm Laser Diode Chip Printing Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego

Rozmiar emitera 94um Chip lasera diodowego na podmontażu Projektowy prąd progowy 0,5 A

Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego Dioda laserowa 1,0 W/A

Druk laserowy Dioda laserowa Chip półprzewodnikowy 1,0 W / A Rozmiar emitera 94 μm Długość fali 915 nm

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP