Poprosić o wycenę |
Dom Produktysilicon carbide epitaxial wafers producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

silicon carbide epitaxial wafers produkcja online

(23)
kupić Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP w Internecie producent

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP
Kontakt

JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer C-Face:Optical Polish,Si-Face:CMP Overview It involves the growth of crystals of one material on the crystal face of another (heteroepitaxy) or the same (homoepitaxy) material... Czytaj więcej
2022-10-24 10:26:24
kupić 6-calowy wafel epitaksjalny SiC w Internecie producent

6-calowy wafel epitaksjalny SiC
Kontakt

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Czytaj więcej
2022-10-09 16:56:20
kupić 47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do<11-20>±1° w Internecie producent

47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do<11-20>±1°
Kontakt

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić 0,015 Ω•cm — 0,025 Ω•cm Wafel epitaksjalny SiC C-Face Polerowanie optyczne Si-Face CMP w Internecie producent

0,015 Ω•cm — 0,025 Ω•cm Wafel epitaksjalny SiC C-Face Polerowanie optyczne Si-Face CMP
Kontakt

0.015Ω•cm—0.025Ω•cm SiC Epitaxial Wafer C-Face:Optical Polish,Si-Face CMP Overview A SiC wafer is a semiconductor material made of silicon. A silicon carbide wafer is a crystalline material that is made by ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC Bez wtórnego płaskiego 3 mm w Internecie producent

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC Bez wtórnego płaskiego 3 mm
Kontakt

JDCD03-001-003 Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced into substrates, which are subsequently polished. A thin SiC epitaxial layer is then grown on top of this substrate ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC 47,5 mm ± 1,5 mm w Internecie producent

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC 47,5 mm ± 1,5 mm
Kontakt

150.0mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer 47.5 mm ± 1.5 mm Overview Because SiC has a high thermal conductivity, SiC dissipates heat more rapidly than other semiconductor materials. This enables ... Czytaj więcej
2022-10-24 10:23:40
kupić Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm w Internecie producent

Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm
Kontakt

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Epitaksjalny wafel SiC Forma kryształu 4H w Internecie producent

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Epitaksjalny wafel SiC Forma kryształu 4H
Kontakt

150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... Czytaj więcej
2022-10-24 10:20:57
kupić Typ N 6 cali 4H Podłoże z węglika krzemu Podstawowa płaska długość 47,5 mm w Internecie producent

Typ N 6 cali 4H Podłoże z węglika krzemu Podstawowa płaska długość 47,5 mm
Kontakt

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide (SiC) is a covalent network solid. If we look at its ... Czytaj więcej
2022-10-24 10:22:34
kupić Wafel epitaksjalny 4H SiC ≤0,2 /cm2 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 150,0 mm +0mm/-0,2mm w Internecie producent

Wafel epitaksjalny 4H SiC ≤0,2 /cm2 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 150,0 mm +0mm/-0,2mm
Kontakt

4H SiC Epitaxial Wafer ≤0.2 /Cm2 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 Overview The 200-mm wafers can be used for a variety of applications. These wafers are 50% thinner than the standard ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.