 |
Wafel epitaksjalny 4H SiC ≤0,2 /cm2 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 150,0 mm +0mm/-0,2mm2023-02-17 15:17:12 |
|
|
Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP2022-10-24 10:26:24 |
|
|
Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm2023-02-17 15:19:25 |
|
|
6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um2022-10-24 10:21:10 |
|
|
Podłoże 350um 4H SiC2022-10-09 16:57:57 |
|
|
150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC Bez wtórnego płaskiego 3 mm2023-02-17 15:10:26 |
|
|
150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC 47,5 mm ± 1,5 mm2022-10-24 10:23:40 |
|
|
|
|
|
|
6-calowy wafel epitaksjalny SiC2022-10-09 16:56:20 |
