 |
Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm2023-02-17 15:19:25 |
|
|
150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Epitaksjalny wafel SiC Forma kryształu 4H2022-10-24 10:20:57 |
|
|
2-calowe podłoże SiC 350μm dla wymagających energoelektroniki2023-02-17 15:34:54 |
|
|
Podłoże typu SiC N2022-10-09 16:57:15 |
|
|
Podłoże 350um 4H SiC2022-10-09 16:57:57 |
