Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Name: Podłoże GaN na powierzchni czołowej C
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD01-001-020
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN
(65)

Wafel epitaksjalny Sic
(39)

Wafel GaAs Epi
(15)

Podłoża diamentowe CVD
(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego
(2)

Tester czujnika efektu Halla
(3)

Płytka z azotku glinu
(21)

Układ diody laserowej
(10)

Kryształ węglika krzemu
(12)

Wafel Ga2O3
(13)

Wafel silikonowy
(26)

Szafirowy Opłatek
(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe
(10)

Uchwyt na wafle owe
(1)

Maszyna do krojenia wafli
(5)

Najlepsze produkty

Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Niedomieszkowana płytka epitaksjalna z GaN

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Orzecznictwo

Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty

Im Online Czat teraz

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Duży Obraz : Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	Suzhou Chiny
Nazwa handlowa:	GaNova
Orzecznictwo:	UKAS/ISO9001:2015
Numer modelu:	JDCD01-001-020

Zapłata:

Szczegóły pakowania:	Pakowanie próżniowe w środowisku clean room klasy 10000, w kasetach po 6 sztuk lub pojedynczych poje
Czas dostawy:	3-4 dni tygodnia
Zasady płatności:	T/T
Możliwość Supply:	10000 SZTUK / miesiąc

Kontakt

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Opis

Nazwa produktu:	2-calowe wolnostojące podłoża N-GaN	Wymiary:	50,0 ±0,3 mm
Grubość:	400 ± 30μm	Orientacja płaska:	(1-100) ±0,1˚, 12,5 ±1 mm
TTV:	≤ 10µm	kokarda:	≤ 20μm
Podkreślić:	Podłoże GaN C Face , podłoże półprzewodnikowe GaN , podłoże GaN domieszkowane Si

2-calowa powierzchnia C z domieszką Si, wolnostojące podłoże monokrystaliczne GaN typu n Rezystywność < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/płytka laserowa

Przegląd
GaN ma doskonałe właściwości materiałowe do stosowania w urządzeniach zasilających, w tym wysokie napięcie przebicia, dużą prędkość nasycenia i wysoką stabilność termiczną.Niedawne postępy w technologii masowego wzrostu GaN ułatwiły rozwój pionowych urządzeń zasilających, takich jak diody barierowe Schottky'ego, diody złączowe p-n i tranzystory polowe z efektem metal-tlenek-półprzewodnik.

2-calowe wolnostojące podłoża N-GaN
	Poziom produkcji (P)			RmiSuchoH(R)	Atrapa(D)	Notatka: (1) 5 punktów: kąty błędnego cięcia w 5 pozycjach wynoszą 0,55 ± 0,15^o (2) 3 punkty: kąty błędnego cięcia pozycji (2, 4, 5) wynoszą 0,55 ±0,15^o (3) Powierzchnia użytkowa: wykluczenie peryferii i makrodefektów (dziur)
	P+	P	P-
Przedmiot	GaN-FS-CN-C50-SSP
Wymiary	50,0 ±0,3 mm
Grubość	400 ± 30 μm
Orientacja płaska	(1-100) ±0,1^o_,12,5 ± 1 mm
TTV	≤ 15 μm
UKŁON	≤ 20 μm
Rezystywność (300K)	≤ 0,02 Ω·cm dla typu N (domieszkowany Si)
Chropowatość powierzchni Ga	≤ 0,3 nm (polerowanie i obróbka powierzchni pod epitaksję)
Chropowatość powierzchni czołowej N	0,5 ~ 1,5 μm (jednostronnie polerowany)
Płaszczyzna C (0001) poza kątem w kierunku osi M (kąty błędnego cięcia)	0,55 ± 0,1^o (5 punktów)	0,55 ± 0,15^o (5 punktów)		0,55 ± 0,15^o (3 punkty)
Gęstość dyslokacji gwintu	≤ 7,5 x 10⁵cm^-2	≤ 3 x 10⁶cm^-2
Liczba i maksymalny rozmiar otworów w Ф47 mm w środku	0		≤ 3 przy 1000 μm	≤ 12 przy 1500 μm	≤ 20 przy 3000 μm
Powierzchnia użytkowa	> 90%			>80%	>70%
Pakiet	Pakowane w pomieszczeniu czystym w pojedynczym pojemniku na wafle

O nas

Specjalizujemy się w przetwarzaniu różnorodnych materiałów na płytki, podłoża i niestandardowe części ze szkła optycznego. Komponenty szeroko stosowane w elektronice, optyce, optoelektronice i wielu innych dziedzinach.Ściśle współpracujemy również z wieloma krajowymi i zamorskimi uniwersytetami, instytucjami badawczymi i firmami, dostarczając niestandardowe produkty i usługi dla ich projektów badawczo-rozwojowych.Naszą wizją jest utrzymywanie dobrych relacji współpracy ze wszystkimi naszymi klientami dzięki naszej dobrej reputacji.

Często zadawane pytania

P: Czy jesteś firmą handlową lub producentem?
Jesteśmy fabryką.
P: Jak długi jest czas dostawy?
Zwykle jest to 3-5 dni, jeśli towary są w magazynie.
lub jest to 7-10 dni, jeśli towarów nie ma w magazynie, jest to zależne od ilości.
P: Czy dostarczasz próbki?to jest darmowe czy dodatkowe?
Tak, możemy zaoferować próbkę za darmo, ale nie płacimy za fracht.
P: Jakie są twoje warunki płatności?
Płatność <= 5000 USD, 100% z góry.
Paymen >=5000USD, 80% T/T z góry, saldo przed wysyłką.

Etykietka:

Osoba kontaktowa: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Płytka epitaksjalna GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Wafel GaAs Epi

Podłoża diamentowe CVD

System szybkiego wyżarzania termicznego

Tester czujnika efektu Halla

Płytka z azotku glinu

Układ diody laserowej

Kryształ węglika krzemu

Wafel Ga2O3

Wafel silikonowy

Szafirowy Opłatek

Wzorzyste podłoża szafirowe

Uchwyt na wafle owe

Maszyna do krojenia wafli

Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Niedomieszkowana płytka epitaksjalna z GaN

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Podłoże GaN C Face

podłoże półprzewodnikowe GaN

podłoże GaN domieszkowane Si

Płytka półprzewodnikowa z azotku galu,

wolnostojące podłoża GaN,

niebieska dioda LED GaN epitaksjalna płytka

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP