 |
Niedomieszkowany GaN epitaksjalny wafel M Wolnostojące podłoża GaN2023-02-17 10:52:50 |
|
|
Wolnostojące podłoża GaN z epitaksjalnymi płytkami A Face GaN2023-02-17 10:57:06 |
|
|
2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN2024-10-14 17:06:30 |
|
|
M Face GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża GaN 325um TTV 10um2022-10-08 17:04:46 |
|
|
Wolnostojący wafel epitaksjalny U / SI GaN 50,8 mm 350 um2022-10-08 17:12:14 |
|
|
Grubość 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Wolnostojące podłoża GaN2022-10-25 15:05:18 |
|
|
Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF2024-10-29 11:49:57 |
|
|
2-calowe podłoża U GaN Podłoża SI GaN 50,8 mm2024-10-14 17:06:30 |
|
|
Wolnostojące podłoża N GaN N Chropowatość powierzchni czołowej 0,5um do 1,5um2022-10-08 17:14:45 |
|
|
2-calowy wolnostojący półprzewodnikowy wafel z azotku galu o średnicy 50,8 mm2022-10-08 17:22:16 |
