Poprosić o wycenę |
Dom Produktyfree standing gan substrates producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

free standing gan substrates produkcja online

(57)
kupić Niedomieszkowany GaN epitaksjalny wafel M Wolnostojące podłoża GaN w Internecie producent

Niedomieszkowany GaN epitaksjalny wafel M Wolnostojące podłoża GaN
Kontakt

5 X 10 mm2 M Face Free-Standing GaN Substrates 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Czytaj więcej
2023-02-17 10:52:50
kupić 10 X 10,5 mm2 Wolno stojące podłoża GaN - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm w Internecie producent

10 X 10,5 mm2 Wolno stojące podłoża GaN - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
Kontakt

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Applications Laser diodes: violet LD, blue LD, and green LD Power electronic devices, High ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupić Grubość 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Wolnostojące podłoża GaN w Internecie producent

Grubość 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Wolnostojące podłoża GaN
Kontakt

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview GaN Substrates GaN (gallium nitride) substrates and wafers with high quality (low ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:28
kupić Wolnostojące podłoża GaN z epitaksjalnymi płytkami A Face GaN w Internecie producent

Wolnostojące podłoża GaN z epitaksjalnymi płytkami A Face GaN
Kontakt

5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride ... Czytaj więcej
2023-02-17 10:57:06
kupić 2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN w Internecie producent

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN
Kontakt

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices To reduce the Fe trapping carrier and the sheet resistances of the two-dimension electron gas generated ... Czytaj więcej
2024-10-14 17:06:30
kupić M Face GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża GaN 325um TTV 10um w Internecie producent

M Face GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża GaN 325um TTV 10um
Kontakt

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... Czytaj więcej
2022-10-08 17:04:46
kupić 10 X 10,5 mm2 C Twarz Niedopingowana N Typ wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny w Internecie producent

10 X 10,5 mm2 C Twarz Niedopingowana N Typ wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny
Kontakt

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview Premium quality GaN crystal substrates with low dislocation density (on the order ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupić TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Opór 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilanie/laser W w Internecie producent

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Opór 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilanie/laser W
Kontakt

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium nitride (GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić Gęstość defektów makro 0cm−2 Niezdopatowany SI-typ wolnostojący podłoże jednokrystaliczny GaN dla urządzeń RF 5*10mm2 M-Face w Internecie producent

Gęstość defektów makro 0cm−2 Niezdopatowany SI-typ wolnostojący podłoże jednokrystaliczny GaN dla urządzeń RF 5*10mm2 M-Face
Kontakt

5*10mm2 M-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Thin Epi wafers are commonly used for leading edge MOS devices. Thick Epi or Multi... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić 5x10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, podłoże jednokrystaliczne GaN o TTV ≤ 10μm, rezystywność 0,05 Ω·cm w Internecie producent

5x10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, podłoże jednokrystaliczne GaN o TTV ≤ 10μm, rezystywność 0,05 Ω·cm
Kontakt

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has many serious advantages over silicon, being more power ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
Page 1 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.