|
Szczegóły Produktu:
|
| Nazwa produktu: | 2-calowe wolnostojące podłoża U-GaN/SI-GaN | Wymiary: | 50,8 ± 1 mm |
|---|---|---|---|
| Grubość: | 350 ± 25μm | Orientacja płaska: | (1-100) ± 0,5˚, 16 ±1 mm |
| Płaska orientacja drugorzędna: | (11-20) ± 3˚, 8 ± 1 mm | Chropowatość powierzchni Ga: | < 0,2 nm (polerowane) lub < 0,3 nm (polerowane i obrobione powierzchniowo do epitaksji) |
| Podkreślić: | Wolnostojący wafel epitaksjalny GaN,podłoża U-GaN SI-GaN,wafel epitaksjalny GaN 50 |
||
2-calowe Wolnostojące podłoża U-GaN/SI-GaN 50,8 ± 1 mm 350 ± 25 μm
2-calowe C-face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny substrat GaN typu n typu n Rezystywność < 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilające/płytka laserowa
Przegląd
Pole rozkładu GaN
Wyższe pole przebicia oznacza, że azotek galu jest lepszy niż krzem w obwodach wysokiego napięcia, takich jak produkty o dużej mocy.Producenci i inżynierowie mogą również używać GaN w aplikacjach o podobnym napięciu, zachowując przy tym znacznie mniejszą powierzchnię.
| 2-calowe wolnostojące podłoża U-GaN/SI-GaN | |||||||
|
Doskonały poziom (S) |
Poziom produkcji (A) |
Badania poziom (B) |
Atrapa poziom (C) |
Notatka: (1) Powierzchnia użytkowa: wykluczenie defektów krawędzi i makr (2) 3 punkty: kąty błędnego cięcia pozycji (2, 4, 5) wynoszą 0,35 ± 0,15o |
|||
| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| Wymiary | 50,8 ± 1 mm | ||||||
| Grubość | 350 ± 25 μm | ||||||
| Orientacja płaska | (1-100) ± 0,5o, 16 ± 1 mm | ||||||
| Płaska orientacja drugorzędna | (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm | ||||||
| Rezystywność (300K) |
< 0,5 Ω·cm dla typu N (niedomieszkowany; GaN-FS-CU-C50) lub > 1x106Ω·cm dla półizolacji (domieszkowane Fe; GaN-FS-C-SI-C50) |
||||||
| TTV | ≤ 15 μm | ||||||
| UKŁON | ≤ 20 μm ≤ 40 μm | ||||||
| Chropowatość powierzchni Ga |
< 0,2 nm (polerowane) lub < 0,3 nm (polerowanie i obróbka powierzchni pod kątem epitaksji) |
||||||
| Chropowatość powierzchni czołowej N |
0,5 ~ 1,5 μm opcja: 1~3 nm (dokładne szlifowanie);< 0,2 nm (polerowane) |
||||||
| Pakiet | Pakowane w pomieszczeniu czystym w pojedynczym pojemniku na wafle | ||||||
| Powierzchnia użytkowa | > 90% | >80% | >70% | ||||
| Gęstość dyslokacji | <9,9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <9,9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <3x106cm-2 | ||
| Orientacja: Płaszczyzna C (0001) poza kątem w kierunku osi M |
0,35 ± 0,15o (3 punkty) |
0,35 ± 0,15o (3 punkty) |
0,35 ± 0,15o (3 punkty) |
||||
| Gęstość defektów makro (dziura) | 0 cm-2 | < 0,3 cm-2 | < 1 cm-2 | ||||
| Maksymalny rozmiar defektów makro | < 700 μm | < 2000 μm | < 4000 μm | ||||
O nas
Specjalizujemy się w przetwarzaniu różnorodnych materiałów na płytki, podłoża i niestandardowe części ze szkła optycznego. Komponenty szeroko stosowane w elektronice, optyce, optoelektronice i wielu innych dziedzinach.Ściśle współpracujemy również z wieloma krajowymi i zamorskimi uniwersytetami, instytucjami badawczymi i firmami, dostarczając niestandardowe produkty i usługi dla ich projektów badawczo-rozwojowych.Naszą wizją jest utrzymywanie dobrych relacji współpracy ze wszystkimi naszymi klientami dzięki naszej dobrej reputacji.
Często zadawane pytania
P: Czy jesteś firmą handlową lub producentem?
Jesteśmy fabryką.
P: Jak długi jest czas dostawy?
Zwykle jest to 3-5 dni, jeśli towary są w magazynie.
lub jest to 7-10 dni, jeśli towarów nie ma w magazynie, jest to zależne od ilości.
P: Czy dostarczasz próbki?to jest darmowe czy dodatkowe?
Tak, możemy zaoferować próbkę za darmo, ale nie płacimy za fracht.
P: Jakie są twoje warunki płatności?
Płatność <= 5000 USD, 100% z góry.
Paymen >=5000USD, 80% T/T z góry, saldo przed wysyłką.
Osoba kontaktowa: Xiwen Bai (Ciel)
Tel: +8613372109561
