Poprosić o wycenę |
Dom ProduktyPłytka z azotku glinu

1-calowy wafel z azotku glinu AlN z pojedynczym kryształem 400 μm klasy S / P / R

Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

1-calowy wafel z azotku glinu AlN z pojedynczym kryształem 400 μm klasy S / P / R

1-calowy wafel z azotku glinu AlN z pojedynczym kryształem 400 μm klasy S / P / R
1-calowy wafel z azotku glinu AlN z pojedynczym kryształem 400 μm klasy S / P / R

Duży Obraz :  1-calowy wafel z azotku glinu AlN z pojedynczym kryształem 400 μm klasy S / P / R

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: Suzhou Chiny
Nazwa handlowa: GaNova
Orzecznictwo: UKAS/ISO9001:2015
Numer modelu: JDCD02-001-001
Zapłata:
Szczegóły pakowania: Pakowanie próżniowe w środowisku clean room klasy 10000, w kasetach po 25 sztuk lub pojedynczych poj
Zasady płatności: T/T
Kontakt

1-calowy wafel z azotku glinu AlN z pojedynczym kryształem 400 μm klasy S / P / R

Opis
Nazwa produktu: Płytka z azotku glinu Średnica: 25,4 ± 0,5 mm
Grubość: 400±50μm Forma Kryształu: 2H
Politypia: {0001}±0,5° TUA: ≥90%
Podkreślić:

1-calowy wafel z azotku aluminium

,

pojedynczy kryształ AlN 400um

,

wafel z azotku aluminium klasy S

JDCD02-001-001 1-calowy pojedynczy kryształ AlN 400 ± 50 μm klasa S / P / R

 

Podłoże AlN jest jednym z najpopularniejszych podłoży ceramicznych, które charakteryzuje się doskonałą odpornością na ciepło, wysoką wytrzymałością mechaniczną, odpornością na ścieranie i niewielkimi stratami dielektrycznymi.Powierzchnia podłoża AlN jest dość gładka i mało porowata.Azotek glinu ma wyższą przewodność cieplną w porównaniu z podłożem z tlenku glinu, jest około 7 do 8 razy wyższy.Podłoże AlN jest doskonałym materiałem na opakowania elektroniczne.

 

1-calowy monokrystaliczny substrat z azotku glinu
Specyfikacje kryształów Wartość parametru
Średnica (mm) 25,4±0,5
Grubość (μm) 400±50
Forma Kryształu 2H
Politypia {0001}±0,5°
Polerowanie powierzchni Powierzchnia aluminiowa: polerowanie chemiczne (podwójne polerowanie można dostosować)
Chropowatość

Al twarz: ≤0,5 nm

N twarz (tył): ≤1,2 μm
wygląd Okrągła krawędź pozycjonująca pas
Stopień jakości Klasa S (Super) Klasa P (produkcja) Klasa R (badania)
HRXRD Szerokość w połowie wysokości @{0002}(sek. łuku) ≤150 ≤300 ≤500
HRXRD Szerokość w połowie wysokości @{10-12}(sek. łuku) ≤100 ≤200 ≤400
współczynnik absorpcji przy 265 nm (cm-1) ≤50 ≤70 ≤100
Wyłączenie krawędzi (mm) 1 1 1
Wcięcia / / /
Frytki / / ≤3 Łącznie ≤1,0 mm
TUA ≥90%
Orientacja głównej krawędzi pozycjonującej {10-10}±5,0°
Orientacja drugorzędnej powierzchni lokalizacyjnej

Al face: Obróć zgodnie z ruchem wskazówek zegara w kierunku głównej krawędzi pozycjonującej 90° ± 5°

Twarz N: Obróć w kierunku przeciwnym do ruchu wskazówek zegara w kierunku głównej krawędzi pozycjonującej 90° ± 5°
TTV(μm) ≤30
Osnowa (μm) ≤30
Łuk (μm) ≤30
Pęknięcia Nie, gołym okiem, mocne światło
Zanieczyszczenie Nie, gołym okiem, promieniowanie
Kodowanie laserowe Powierzchnia N, równoległa do głównej krawędzi ustalającej
Pakiet Pudełko na wafle monolityczne

 

 

O nas

Specjalizujemy się w przetwarzaniu różnorodnych materiałów na płytki, podłoża i niestandardowe części ze szkła optycznego. Komponenty szeroko stosowane w elektronice, optyce, optoelektronice i wielu innych dziedzinach.Ściśle współpracujemy również z wieloma krajowymi i zamorskimi uniwersytetami, instytucjami badawczymi i firmami, dostarczając niestandardowe produkty i usługi dla ich projektów badawczo-rozwojowych.Naszą wizją jest utrzymywanie dobrych relacji współpracy ze wszystkimi naszymi klientami dzięki naszej dobrej reputacji.

 

 

Często zadawane pytania

P: Czy jesteś firmą handlową lub producentem?
Jesteśmy fabryką.
P: Jak długi jest czas dostawy?
Zwykle jest to 3-5 dni, jeśli towary są w magazynie.
lub jest to 7-10 dni, jeśli towarów nie ma w magazynie, jest to zależne od ilości.
P: Czy dostarczasz próbki?to jest darmowe czy dodatkowe?
Tak, możemy zaoferować próbkę za darmo, ale nie płacimy za fracht.
P: Jakie są twoje warunki płatności?
Płatność <= 5000 USD, 100% z góry.
Paymen >=5000USD, 80% T/T z góry, saldo przed wysyłką.

 

Etykietka:

Szafirowy azotek glinu Wa,

wafel z azotku glinu ISO,

polerowane wafle szafirowe

Szczegóły kontaktu
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Osoba kontaktowa: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.