2-calowy półprzewodnikowy wafel P Poziom 260 μm do urządzeń zasilających Urządzenia mikrofalowe

JDCD03-001-001 2-calowe podłoże SiC P-level 4H-N/SI<0001>260μm±25μm dla urządzeń zasilających i urządzeń mikrofalowych

Przegląd

Wyjątkowe właściwości elektroniczne i termiczne węglika krzemu (SiC) sprawiają, że idealnie nadaje się on do zaawansowanych urządzeń półprzewodnikowych o dużej mocy i wysokiej częstotliwości, których działanie znacznie wykracza poza możliwości urządzeń z arsenku krzemu lub galu.Kluczowe zalety technologii opartej na SiC obejmują zmniejszone straty przełączania, wyższą gęstość mocy, lepsze odprowadzanie ciepła i zwiększoną przepustowość.

Uwaga: W przypadku elementów oznaczonych symbolem stosuje się wykluczenie krawędzi 3 mm^A.

O nas

Specjalizujemy się w przetwarzaniu różnorodnych materiałów na płytki, podłoża i niestandardowe części ze szkła optycznego. Komponenty szeroko stosowane w elektronice, optyce, optoelektronice i wielu innych dziedzinach.Ściśle współpracujemy również z wieloma krajowymi i zamorskimi uniwersytetami, instytucjami badawczymi i firmami, dostarczając niestandardowe produkty i usługi dla ich projektów badawczo-rozwojowych.Naszą wizją jest utrzymywanie dobrych relacji współpracy ze wszystkimi naszymi klientami dzięki naszej dobrej reputacji.

Często zadawane pytania

P: Czy jesteś firmą handlową lub producentem?
Jesteśmy fabryką.
P: Jak długi jest czas dostawy?
Zwykle jest to 3-5 dni, jeśli towary są w magazynie.
lub jest to 7-10 dni, jeśli towarów nie ma w magazynie, jest to zależne od ilości.
P: Czy dostarczasz próbki?to jest darmowe czy dodatkowe?
Tak, możemy zaoferować próbkę za darmo, ale nie płacimy za fracht.
P: Jakie są twoje warunki płatności?
Płatność <= 5000 USD, 100% z góry.
Paymen >=5000USD, 80% T/T z góry, saldo przed wysyłką.