6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego

Name: 6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN
(65)

Wafel epitaksjalny Sic
(39)

Wafel GaAs Epi
(15)

Podłoża diamentowe CVD
(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego
(2)

Tester czujnika efektu Halla
(3)

Płytka z azotku glinu
(21)

Układ diody laserowej
(10)

Kryształ węglika krzemu
(12)

Wafel Ga2O3
(13)

Wafel silikonowy
(26)

Szafirowy Opłatek
(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe
(10)

Uchwyt na wafle owe
(1)

Maszyna do krojenia wafli
(5)

Najlepsze produkty

6-calowy wafel epitaksjalny SiC

Orzecznictwo

Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty

Im Online Czat teraz

6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego

Duży Obraz : 6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	Suzhou Chiny
Nazwa handlowa:	GaNova
Orzecznictwo:	UKAS/ISO9001:2015

Zapłata:

Szczegóły pakowania:	Pakowanie próżniowe w środowisku clean room klasy 10000, w kasetach po 25 sztuk lub pojedynczych poj
Czas dostawy:	3-4 dni tygodnia
Zasady płatności:	T/T

Kontakt

6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego

Opis

Forma Kryształu:	4 godz	Zanieczyszczenie powierzchni metalem:	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11cm⁻²
Nazwa produktu:	Wafel epitaksjalny Sic	Średnica:	150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Orientacja powierzchni:	Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°	Podstawowa długość płaska:	47,5 mm ± 1,5 mm
Drugorzędna długość płaska:	Brak drugiego mieszkania	Podstawowa orientacja płaska:	Równolegle do<11-20>±1°
Dezorientacja ortogonalna:	±5,0°
Podkreślić:	Podłoże typu SiC N , 6-calowy wafel SiC , podłoże typu 4H N

6-calowe podłoże 4H-SiC typu N P-SBD klasa 350,0 ± 25,0 μc MPD≤0,5 / cm²Rezystywność 0,015Ω•cm — 0,025Ω•cm dla zasilania i mikrofal

6-calowe podłoże 4H-SiC typu N

Przegląd

Kule SiC (kryształy) są hodowane, obrabiane na wlewki, a następnie krojone na podłoża, które następnie są polerowane.Cienka warstwa epitaksjalna SiC jest następnie hodowana na wierzchu tego podłoża, aby utworzyć epi-płytkę.

Nieruchomość	Klasa P-MOS	Klasa P-SBD	Klasa D
Forma Kryształu	4H
Politypia	Brak Dozwolone		Powierzchnia ≤5%
(MPD)^A	≤0,2 /cm²	≤0,5 /cm²	≤5 /cm²
Płyty sześciokątne	Brak Dozwolone		Powierzchnia ≤5%
Sześciokątny polikryształ	Brak Dozwolone
Inkluzje^A	Powierzchnia ≤0,05%	Powierzchnia ≤0,05%	Nie dotyczy
Oporność	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,014Ω•cm—0,028Ω•cm
(EPD)^A	≤4000/cm²	≤8000/cm²	Nie dotyczy
(PRZETRZĄSAĆ)^A	≤3000/cm²	≤6000/cm²	Nie dotyczy
(BPD)^A	≤1000/cm²	≤2000/cm²	Nie dotyczy
(TSD)^A	≤600/cm²	≤1000/cm²	Nie dotyczy
Błąd układania	≤0,5% powierzchni	≤1% Powierzchnia	Nie dotyczy
Zanieczyszczenie powierzchni metalem	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm^-2
Średnica	150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Orientacja powierzchni	Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°
Podstawowa długość płaska	47,5 mm ± 1,5 mm
Drugorzędna długość płaska	Brak drugiego mieszkania
Podstawowa orientacja płaska	Równolegle do<11-20>±1°
Pomocnicza płaska orientacja	Nie dotyczy
Dezorientacja ortogonalna	±5,0°
Wykończenie powierzchni	C-Face: optyczna polska, Si-Face: CMP
Krawędź waflowa	Fazowanie
Chropowatość powierzchni (10 μm × 10 μm)	Si Twarz Ra≤0,20 nm; C Twarz Ra≤0,50 nm
Grubość^A	350,0 μm ± 25,0 μm
LTV(10mm×10mm)^A	≤2μm		≤3μm
(TTV)^A	≤6μm		≤10μm
(UKŁON)^A	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Osnowa)^A	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Wióry / Wcięcia	Brak Dozwolone ≥0,5 mm szerokości i głębokości		Ilość 2 ≤1,0 mm Szerokość i głębokość
Zadrapania^A (Si Face, CS8520)	≤5 i skumulowana długość ≤0,5 × średnica płytki		≤5 i skumulowana długość ≤1,5 × opłatek Średnica
TUA (2mm * 2mm)	≥98%	≥95%	Nie dotyczy
Pęknięcia	Brak Dozwolone
Zanieczyszczenie	Brak Dozwolone
Nieruchomość	Klasa P-MOS	Klasa P-SBD	Klasa D
Wykluczenie krawędzi	3 mm

Uwaga: W przypadku elementów oznaczonych symbolem stosuje się wykluczenie krawędzi 3 mm^A.

O nas

Specjalizujemy się w przetwarzaniu różnorodnych materiałów na płytki, podłoża i niestandardowe części ze szkła optycznego. Komponenty szeroko stosowane w elektronice, optyce, optoelektronice i wielu innych dziedzinach.Ściśle współpracujemy również z wieloma krajowymi i zamorskimi uniwersytetami, instytucjami badawczymi i firmami, dostarczając niestandardowe produkty i usługi dla ich projektów badawczo-rozwojowych.Naszą wizją jest utrzymywanie dobrych relacji współpracy ze wszystkimi naszymi klientami dzięki naszej dobrej reputacji.

Często zadawane pytania

P: Czy jesteś firmą handlową lub producentem?
Jesteśmy fabryką.
P: Jak długi jest czas dostawy?
Zwykle jest to 3-5 dni, jeśli towary są w magazynie.
lub jest to 7-10 dni, jeśli towarów nie ma w magazynie, jest to zależne od ilości.
P: Czy dostarczasz próbki?to jest darmowe czy dodatkowe?
Tak, możemy zaoferować próbkę za darmo, ale nie płacimy za fracht.
P: Jakie są twoje warunki płatności?
Płatność <= 5000 USD, 100% z góry.
Paymen >=5000USD, 80% T/T z góry, saldo przed wysyłką.

Etykietka:

Osoba kontaktowa: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Inne produkty

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Nazwa produktu: Wafel epitaksjalny Sic

Orientacja powierzchni: Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°

Politypia: Brak Dozwolone

Dezorientacja ortogonalna: ±5,0°

6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um

Nazwa produktu: Podłoże SiC

Forma Kryształu: 4 godz

Średnica: 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm

Orientacja powierzchni: Off-Axis: 4° w kierunku <11-20> ± 0,5°

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Nazwa produktu: Wafel epitaksjalny Sic

Forma Kryształu: 4 godz

Krawędź waflowa: fazowanie

Średnica: 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Poziom P SI Typ 6 cali 4H SiC Półizolacyjne podłoże 150 mm

Nazwa produktu: Wafel epitaksjalny Sic

Forma Kryształu: 4 godz

Średnica: 150,0 mm + 0,0/-0,2 mm

Orientacja powierzchni: {0001}±0,2°

Wafel epitaksjalny 4H SiC Klasa P-MOS 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm

Nazwa produktu: Wafel epitaksjalny Sic

Średnica: 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Orientacja powierzchni: Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°

Podstawowa długość płaska: 47,5 mm ± 1,5 mm

6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego

Płytka epitaksjalna GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Wafel GaAs Epi

Podłoża diamentowe CVD

System szybkiego wyżarzania termicznego

Tester czujnika efektu Halla

Płytka z azotku glinu

Układ diody laserowej

Kryształ węglika krzemu

Wafel Ga2O3

Wafel silikonowy

Szafirowy Opłatek

Wzorzyste podłoża szafirowe

Uchwyt na wafle owe

Maszyna do krojenia wafli

Podłoże 350um 4H SiC

Podłoże typu SiC N

6-calowy wafel epitaksjalny SiC

6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego

6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego

Podłoże typu SiC N

6-calowy wafel SiC

podłoże typu 4H N

Wafle epitaksjalne z węglika krzemu,

wafel epitaksjalny typu N Sic,

wafel epitaksjalny Sic C Face

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Poziom P SI Typ 6 cali 4H SiC Półizolacyjne podłoże 150 mm

Wafel epitaksjalny 4H SiC Klasa P-MOS 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP