Dom Produktysemiconductor diode laser chip producent online

Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN
(65)

Wafel epitaksjalny Sic
(39)

Wafel GaAs Epi
(15)

Podłoża diamentowe CVD
(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego
(2)

Tester czujnika efektu Halla
(3)

Płytka z azotku glinu
(21)

Układ diody laserowej
(10)

Kryształ węglika krzemu
(12)

Wafel Ga2O3
(13)

Wafel silikonowy
(26)

Szafirowy Opłatek
(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe
(10)

Uchwyt na wafle owe
(1)

Maszyna do krojenia wafli
(5)

Orzecznictwo

Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty

Im Online Czat teraz

semiconductor diode laser chip produkcja online

(4)

Druk laserowy Dioda laserowa Chip półprzewodnikowy 1,0 W / A Rozmiar emitera 94 μm Długość fali 915 nm
Kontakt

Czytaj więcej

2022-09-22 15:10:25

Prąd progowy 0,5 A Efektywność konwersji mocy chipa diody laserowej 58%
Kontakt

Czytaj więcej

2022-09-22 15:12:40

Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A
Kontakt

Czytaj więcej

2022-09-22 15:13:34

Thk 430um Sapphire Substrat Orientacja kryształów C/M0.2
Kontakt

Czytaj więcej

2023-02-17 10:18:05

Page 1 of 1

Płytka epitaksjalna GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Wafel GaAs Epi

Podłoża diamentowe CVD

System szybkiego wyżarzania termicznego

Tester czujnika efektu Halla

Płytka z azotku glinu

Układ diody laserowej

Kryształ węglika krzemu

Wafel Ga2O3

Wafel silikonowy

Szafirowy Opłatek

Wzorzyste podłoża szafirowe

Uchwyt na wafle owe

Maszyna do krojenia wafli

semiconductor diode laser chip produkcja online

Druk laserowy Dioda laserowa Chip półprzewodnikowy 1,0 W / A Rozmiar emitera 94 μm Długość fali 915 nm
Kontakt

Prąd progowy 0,5 A Efektywność konwersji mocy chipa diody laserowej 58%
Kontakt

Prąd progowy 0,5 A Dioda laserowa Chip Druk laserowy Wydajność nachylenia 1,0 W/A
Kontakt

Thk 430um Sapphire Substrat Orientacja kryształów C/M0.2
Kontakt

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP