Poprosić o wycenę |
Dom Produktyga2o3 single crystal substrate producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

ga2o3 single crystal substrate produkcja online

(13)
kupić Jednostronnie polerowane podłoże monokrystaliczne waflowe Ga2O3 w Internecie producent

Jednostronnie polerowane podłoże monokrystaliczne waflowe Ga2O3
Kontakt

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić Sn Doping Ga2O3 Wafel Podłoże monokrystaliczne 10x10mm2 w Internecie producent

Sn Doping Ga2O3 Wafel Podłoże monokrystaliczne 10x10mm2
Kontakt

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić 10x15mm2 UID Domieszkowany wolnostojący wafel Ga2O3 Pojedyncze polerowanie w Internecie producent

10x15mm2 UID Domieszkowany wolnostojący wafel Ga2O3 Pojedyncze polerowanie
Kontakt

JDCD04-001-005 10x15mm2(-201)UID-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing 10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single ... Czytaj więcej
2022-09-27 16:57:32
Page 2 of 2|< 1 2 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.