Dom Produktyn type sic epitaxial wafer producent online

Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN
(62)

Wafel epitaksjalny Sic
(28)

Wafel GaAs Epi
(15)

Podłoża diamentowe CVD
(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego
(2)

Tester czujnika efektu Halla
(3)

Płytka z azotku glinu
(21)

Układ diody laserowej
(10)

Kryształ węglika krzemu
(12)

Wafel Ga2O3
(13)

Wafel silikonowy
(26)

Szafirowy Opłatek
(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe
(10)

Uchwyt na wafle owe
(1)

Maszyna do krojenia wafli
(5)

Orzecznictwo

Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty

Im Online Czat teraz

n type sic epitaxial wafer produkcja online

(14)

Podłoże 350um 4H SiC
Kontakt

Czytaj więcej

2022-10-09 16:57:57

Chropowatość powierzchni czołowej GaN na podłożu GaN z płytki krzemowej
Kontakt

Czytaj więcej

2022-10-08 17:19:48

2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF
Kontakt

Czytaj więcej

2024-07-31 15:01:27

SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um
Kontakt

Czytaj więcej

2022-10-08 16:41:01

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

Płytka epitaksjalna GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Wafel GaAs Epi

Podłoża diamentowe CVD

System szybkiego wyżarzania termicznego

Tester czujnika efektu Halla

Płytka z azotku glinu

Układ diody laserowej

Kryształ węglika krzemu

Wafel Ga2O3

Wafel silikonowy

Szafirowy Opłatek

Wzorzyste podłoża szafirowe

Uchwyt na wafle owe

Maszyna do krojenia wafli

n type sic epitaxial wafer produkcja online

Podłoże 350um 4H SiC
Kontakt

Chropowatość powierzchni czołowej GaN na podłożu GaN z płytki krzemowej
Kontakt

2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF
Kontakt

SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um
Kontakt

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP