 |
Polityp Brak Dozwolony Wafel epitaksjalny SiC P-MOS P-SBD D Grade2023-02-17 17:47:57 |
|
|
Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm2023-02-17 15:19:25 |
|
|
150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC Bez wtórnego płaskiego 3 mm2023-02-17 15:10:26 |
|
|
6-calowy wafel epitaksjalny SiC2022-10-09 16:56:20 |
|
|
Wafel epitaksjalny 4H SiC Klasa P-MOS 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm2022-10-24 10:21:58 |
|
|
Podłoże typu SiC N2022-10-09 16:57:15 |
|
|
Podłoże 350um 4H SiC2022-10-09 16:57:57 |
|
|
Chropowatość powierzchni czołowej GaN na podłożu GaN z płytki krzemowej2022-10-08 17:19:48 |
|
|
6 cali 4H SiC Podłoże N Typ P SBD Klasa 350μm2022-10-24 10:23:04 |
