Wyślij wiadomość
Poprosić o wycenę |
Dom Produktysic epitaxial wafer c face producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(61)

Wafel epitaksjalny Sic

(28)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

sic epitaxial wafer c face produkcja online

(26)
kupować 6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego w Internecie producent

6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:26:17
kupować 6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um w Internecie producent

6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:21:10
kupować Podłoże z węglika krzemu o grubości 260 μm Poziom P dla urządzeń zasilających i urządzeń mikrofalowych w Internecie producent

Podłoże z węglika krzemu o grubości 260 μm Poziom P dla urządzeń zasilających i urządzeń mikrofalowych
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 17:14:50
kupować SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um w Internecie producent

SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-08 16:41:01
kupować Typ N 6 cali 4H Podłoże z węglika krzemu Podstawowa płaska długość 47,5 mm w Internecie producent

Typ N 6 cali 4H Podłoże z węglika krzemu Podstawowa płaska długość 47,5 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:22:34
kupować 4-calowy substrat 4H-SiC Poziom P SI 500,0 ± 25,0 μM MPD≤0,3/Cm2 Rezystywność ≥1E9Ω·Cm dla zasilania i kuchenki mikrofalowej w Internecie producent

4-calowy substrat 4H-SiC Poziom P SI 500,0 ± 25,0 μM MPD≤0,3/Cm2 Rezystywność ≥1E9Ω·Cm dla zasilania i kuchenki mikrofalowej
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:37:50
Page 3 of 3|< 1 2 3 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2024 epi-wafers.com. All Rights Reserved.