• Polish
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Turkish
    Polish
Poprosić o wycenę |
Dom ProduktyKryształ węglika krzemu

JDZJ01-001-007 Kryształ zarodkowy węglika krzemu

Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

JDZJ01-001-007 Kryształ zarodkowy węglika krzemu

JDZJ01-001-007 Kryształ zarodkowy węglika krzemu
JDZJ01-001-007 Kryształ zarodkowy węglika krzemu

Duży Obraz :  JDZJ01-001-007 Kryształ zarodkowy węglika krzemu

Szczegóły Produktu:
Numer modelu: JDZJ01-001-007
Zapłata:
Szczegóły pakowania: Pakowane w pomieszczeniu czystym w pojedynczy pojemnik na nasiona
Czas dostawy: 3-4 dni tygodnia
Kontakt

JDZJ01-001-007 Kryształ zarodkowy węglika krzemu

Opis
Średnica: 105 ± 0,5 mm Typ przewoźnika: 500±50μm
TTV: ≤15μm Łuk (μm)/Osnowa (μm): ≤45
Orientacja kryształów: 4° poza osią w kierunku <11-20>±0,5° Długość głównej krawędzi pozycjonującej: 32,5±2,0
Długość stopnia subpozycji: 18,0±2,0 Oporność: 0,01~0,028Ω·cm
Podkreślić:

Kryształ nasion węglanu krzemowego

JDZJ01-001-007 Kryształ zarodkowy węglika krzemu

 

Urządzenia elektroniczne wykonane z SiC mogą pracować w ekstremalnie wysokich temperaturach bez wewnętrznych efektów przewodzenia ze względu na szerokie pasmo wzbronione energii.Ponadto ta właściwość pozwala SiC emitować i wykrywać światło o krótkiej długości fali, co umożliwia wytwarzanie diod elektroluminescencyjnych i fotodetektorów UV prawie nieoślepiających.

 

4 i 6-calowy kryształ SiC
Stopień Poziom S Poziom S
Specyfikacje kryształów zarodkowych 6”SiC 6”SiC
Średnica (mm) 105±0,5 153±0,5
Grubość (μm) 500±50 350±20 lub 500±50
TTV(μm) ≤15 ≤15
Łuk (μm)/Osnowa (μm) ≤45 ≤60
Orientacja kryształów 4° poza osią w kierunku <11-20>±0,5° 4° poza osią w kierunku <11-20>±0,5°
Długość głównej krawędzi pozycjonującej 32,5±2,0 18,0±2,0
Długość stopnia subpozycji 18,0±2,0 6,0±2,0
Pozycjonowanie kierunku krawędzi

Si face: obróć zgodnie z ruchem wskazówek zegara wzdłuż głównej strony pozycjonowania: 90 ° ± 5 °

Twarz C: obróć przeciwnie do ruchu wskazówek zegara wzdłuż głównej strony pozycjonowania: 90° ± 5°

Si face: obróć zgodnie z ruchem wskazówek zegara wzdłuż głównej strony pozycjonowania: 90 ° ± 5 °

Twarz C: obróć przeciwnie do ruchu wskazówek zegara wzdłuż głównej strony pozycjonowania: 90° ± 5°
Oporność 0,01~0,028Ω·cm 0,01~0,028Ω·cm
Chropowatość powierzchni SSP, polerowanie czołowe C, Ra≤1,0nm DSP,C twarz Ra≤1,0nm
Średnica strefy pojedynczego kryształu (mm) ≥102mm ≥150 mm
Gęstość mikrotubul ≤1/cm2 ≤1/cm2
Zwiń stronę ≤1 mm ≤2 mm
Sposób pakowania Opakowanie jednostkowe Opakowanie jednostkowe
Uwaga: Strefa pojedynczego kryształu odnosi się do obszaru bez pęknięć i politypów.

 

 

O nas

Specjalizujemy się w przetwarzaniu różnorodnych materiałów na płytki, podłoża i niestandardowe części ze szkła optycznego. Komponenty szeroko stosowane w elektronice, optyce, optoelektronice i wielu innych dziedzinach.Ściśle współpracujemy również z wieloma krajowymi i zamorskimi uniwersytetami, instytucjami badawczymi i firmami, dostarczając niestandardowe produkty i usługi dla ich projektów badawczo-rozwojowych.Naszą wizją jest utrzymywanie dobrych relacji współpracy ze wszystkimi naszymi klientami dzięki naszej dobrej reputacji.

 

 

Często zadawane pytania

P: Czy jesteś firmą handlową lub producentem?
Jesteśmy fabryką.
P: Jak długi jest czas dostawy?
Zwykle jest to 3-5 dni, jeśli towary są w magazynie.
lub jest to 7-10 dni, jeśli towarów nie ma w magazynie, jest to zależne od ilości.
P: Czy dostarczasz próbki?to jest darmowe czy dodatkowe?
Tak, możemy zaoferować próbkę za darmo, ale nie płacimy za fracht.
P: Jakie są twoje warunki płatności?
Płatność <= 5000 USD, 100% z góry.
Paymen >=5000USD, 80% T/T z góry, saldo przed wysyłką.

 

Etykietka:

Kryształ węglika krzemu klasy P,

kryształ węglika krzemu 4H,

kryształ typu N sic

Szczegóły kontaktu
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Osoba kontaktowa: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.