Poprosić o wycenę |
Dom Produktyn type sic crystal producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

n type sic crystal produkcja online

(26)
kupować 0,015ohm.cm do 0,028ohm.cm Kryształ węglika krzemu typu N. w Internecie producent

0,015ohm.cm do 0,028ohm.cm Kryształ węglika krzemu typu N.
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:16
kupować 6-calowy wafel epitaksjalny SiC w Internecie producent

6-calowy wafel epitaksjalny SiC
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-09 16:56:20
kupować 47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do<11-20>±1° w Internecie producent

47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do<11-20>±1°
Kontakt

Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupować JDZJ01-001-002 Sztabka SiC Crystal 4 &quot;klasa D w Internecie producent

JDZJ01-001-002 Sztabka SiC Crystal 4 "klasa D
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:20
kupować 4-calowa rezystywność kryształu węglika krzemu klasy P 0,015 oma. cm do 0,028 oma. cm w Internecie producent

4-calowa rezystywność kryształu węglika krzemu klasy P 0,015 oma. cm do 0,028 oma. cm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 17:35:24
kupować 4 calowe podłoże 4H-SiC Poziom P Typ N 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Rezystywność 0,015 Ω•Cm — 0,025 Ω•Cm w Internecie producent

4 calowe podłoże 4H-SiC Poziom P Typ N 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Rezystywność 0,015 Ω•Cm — 0,025 Ω•Cm
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:25
kupować 100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 &quot;P Klasa 18,0 mm w Internecie producent

100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 18,0 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:26
kupować JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6 &quot;klasa P w Internecie producent

JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6 "klasa P
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:42:33
kupować Podstawowa płaska długość 32,5 mm Kryształ węglika krzemu 4 &quot;P Klasa 100,0 mm w Internecie producent

Podstawowa płaska długość 32,5 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 100,0 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:05
kupować 6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego w Internecie producent

6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:26:17
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.