 |
0,015ohm.cm do 0,028ohm.cm Kryształ węglika krzemu typu N.2022-09-27 17:01:16 |
|
|
Podłoże typu SiC N2022-10-09 16:57:15 |
|
|
6-calowy wafel epitaksjalny SiC2022-10-09 16:56:20 |
|
|
6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego2022-10-24 10:26:17 |
|
|
6 cali 4H SiC Podłoże N Typ P SBD Klasa 350μm2022-10-24 10:23:04 |
|
|
6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um2022-10-24 10:21:10 |
|
|
Typ N 6 cali 4H Podłoże z węglika krzemu Podstawowa płaska długość 47,5 mm2022-10-24 10:22:34 |
|
|
Podłoże 350um 4H SiC2022-10-09 16:57:57 |
|
|
4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4" P Grade Si Face2022-09-27 17:01:35 |
