• Polish
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Turkish
    Polish
Poprosić o wycenę |
Dom Produkty

Wafel epitaksjalny Sic

Najlepsze produkty
Podłoże 350um 4H SiC

Podłoże 350um 4H SiC

Podłoże typu SiC N

Podłoże typu SiC N

6-calowy wafel epitaksjalny SiC

6-calowy wafel epitaksjalny SiC

Chiny Wafel epitaksjalny Sic

Page 4 of 4|< 1 2 3 4 >|
kategorie wyszukiwania：
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.