Dom Produkty

Wafel epitaksjalny Sic

Najlepsze produkty

Podłoże 350um 4H SiC

Podłoże typu SiC N

6-calowy wafel epitaksjalny SiC

Chiny Wafel epitaksjalny Sic

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Forma Kryształu:4 godz

Wykończenie powierzchni:C-Face: optyczna polska, Si-Face: CMP
4 calowe podłoże 4H-SiC Poziom P Typ N 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Rezystywność 0,015 Ω•Cm — 0,025 Ω•Cm

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Forma Kryształu:4 godz

Średnica:100,0 mm + 0,0/-0,5 mm
2-calowe urządzenie zasilanie wysokiej mobilności elektronów tranzystora epitaksyjne płytki

Wymiary:2 cale

Odporność ((300K):< 350 Ω/□

Koncentracja elektronów:> 1800 cm2/(V·S)
2 cali GaN na krzemowej HEMT Epi płytki do urządzenia zasilania

Wymiary:2 cale

Odporność ((300K):< 350 Ω/□

Koncentracja elektronów:> 1800 cm2/(V·S)
6 cali GaN na krzemowym HEMT Epi Wafer Urządzenie zasilanie azotanu galium GaN na Si

Wymiary:6 cali

Odporność ((300K):< 350 Ω/□

Koncentracja elektronów:> 9,0E12 cm-2
Niebieski LED GaN na płytce krzemowej Niebieski laserowy GaN płytka epiksyalna

Wymiar:2-4 cale

Minimalne zamówienie:5

Szczegóły pakowania:Pakowane w pomieszczeniu czystym klasy 100, w pojemniku 25szt., w atmosferze azotu
2 cali GaN na silikonowej zielonej płytce Epi z galliowym azotkiem na silikonie

Wymiar:2 cale

Minimalne zamówienie:5

Szczegóły pakowania:Pakowane w pomieszczeniu czystym klasy 100, w pojemniku 25szt., w atmosferze azotu
2 cali GaN na krzemowym Blue LD Epi wafer GaN niebieski laser na krzemowym

Wymiar:2 cale

Minimalne zamówienie:5

Szczegóły pakowania:Pakowane w pomieszczeniu czystym klasy 100, w pojemniku 25szt., w atmosferze azotu
Fioletowy laser GaN na krzemowym 2 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

Wymiary:2 cale

IQE:Nieznany

Strata wewnętrzna:nieznany
Bariera AlGaN 4 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer nitryd galiowy GaN-on-Si

Wymiary:2 cale

Odporność ((300K):< 350 Ω/□

Koncentracja elektronów:> 9,0E12 cm-2
4 cali uGaN na nitrydzie galium niezdopiowanym z krzemu na płytce krzemowej

Wymiar:4 cale

Biokrystaliczny002:< 550sekund łukowych

Biokrystaliczne102:< 550sekund łukowych
4 cali GaN na silikonowej zielonej płytce Epi-LED

Minimalne zamówienie:5

Cena:1000

Szczegóły pakowania:Pakowane w pomieszczeniu czystym klasy 100, w pojemniku 25szt., w atmosferze azotu

Page 3 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

kategorie wyszukiwania：

Płytka epitaksjalna GaN
Wafel epitaksjalny Sic
Wafel GaAs Epi
Podłoża diamentowe CVD
System szybkiego wyżarzania termicznego
Tester czujnika efektu Halla
Płytka z azotku glinu
Układ diody laserowej
Kryształ węglika krzemu
Wafel Ga2O3
Wafel silikonowy
Szafirowy Opłatek
Wzorzyste podłoża szafirowe
Uchwyt na wafle owe
Maszyna do krojenia wafli

Wafel epitaksjalny Sic

Podłoże 350um 4H SiC

Podłoże typu SiC N

6-calowy wafel epitaksjalny SiC

Chiny Wafel epitaksjalny Sic

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

4 calowe podłoże 4H-SiC Poziom P Typ N 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Rezystywność 0,015 Ω•Cm — 0,025 Ω•Cm

2-calowe urządzenie zasilanie wysokiej mobilności elektronów tranzystora epitaksyjne płytki

2 cali GaN na krzemowej HEMT Epi płytki do urządzenia zasilania

6 cali GaN na krzemowym HEMT Epi Wafer Urządzenie zasilanie azotanu galium GaN na Si

Niebieski LED GaN na płytce krzemowej Niebieski laserowy GaN płytka epiksyalna

2 cali GaN na silikonowej zielonej płytce Epi z galliowym azotkiem na silikonie

2 cali GaN na krzemowym Blue LD Epi wafer GaN niebieski laser na krzemowym

Fioletowy laser GaN na krzemowym 2 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

Bariera AlGaN 4 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer nitryd galiowy GaN-on-Si

4 cali uGaN na nitrydzie galium niezdopiowanym z krzemu na płytce krzemowej

4 cali GaN na silikonowej zielonej płytce Epi-LED

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP