Dom Produkty

Wafel epitaksjalny Sic

Najlepsze produkty

Podłoże 350um 4H SiC

Podłoże typu SiC N

6-calowy wafel epitaksjalny SiC

Chiny Wafel epitaksjalny Sic

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC 47,5 mm ± 1,5 mm

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Orientacja powierzchni:Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°

Podstawowa długość płaska:47,5 mm ± 1,5 mm
2-calowe podłoże SiC 350μm dla wymagających energoelektroniki

Forma Kryształu:4 godz

Nazwa produktu:Specyfikacja podłoża z węglika krzemu (SiC) o średnicy 2 cali

Średnica:50,8 mm ± 0,38 mm
0,015 Ω•cm — 0,025 Ω•cm Wafel epitaksjalny SiC C-Face Polerowanie optyczne Si-Face CMP

Nazwa produktu:Specyfikacja podłoża z węglika krzemu (SiC) o średnicy 6 cali

Podstawowa orientacja płaska:{10-10}±5,0°

Forma Kryształu:4 godz
Brak wtórnego płaskiego podłoża SiC 150,0 mm 47,5 mm

Forma Kryształu:4 godz

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Średnica:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Polityp Brak Dozwolony Wafel epitaksjalny SiC P-MOS P-SBD D Grade

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Podstawowa długość płaska:47,5 mm ± 1,5 mm

Średnica:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Podłoże z węglika krzemu o grubości 260 μm Poziom P dla urządzeń zasilających i urządzeń mikrofalowych

Forma Kryształu:4 godz

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Średnica:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Epitaksjalny wafel SiC Forma kryształu 4H

Średnica:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Orientacja powierzchni:Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°
P MOS klasa 2 cale SiC Epi płytka P poziom P SBD klasa D klasa 150.0mm

Forma Kryształu:4 godz

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Średnica:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Wafel epitaksjalny 4H SiC ≤0,2 /cm2 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 150,0 mm +0mm/-0,2mm

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Forma Kryształu:4 godz

Politypia:Brak Dozwolone
2-calowy półprzewodnikowy wafel P Poziom 260 μm do urządzeń zasilających Urządzenia mikrofalowe

Forma Kryształu:4 godz

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Średnica:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
4H SiC Epitaksjalny wafel SiC Podłoże waflowe do urządzeń fotonicznych ISO9001

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Forma Kryształu:4 godz

Średnica:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego

Forma Kryształu:4 godz

Zanieczyszczenie powierzchni metalem:(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11cm⁻²

Nazwa produktu:Wafel epitaksjalny Sic

Page 2 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

kategorie wyszukiwania：

Płytka epitaksjalna GaN
Wafel epitaksjalny Sic
Wafel GaAs Epi
Podłoża diamentowe CVD
System szybkiego wyżarzania termicznego
Tester czujnika efektu Halla
Płytka z azotku glinu
Układ diody laserowej
Kryształ węglika krzemu
Wafel Ga2O3
Wafel silikonowy
Szafirowy Opłatek
Wzorzyste podłoża szafirowe
Uchwyt na wafle owe
Maszyna do krojenia wafli

Wafel epitaksjalny Sic

Podłoże 350um 4H SiC

Podłoże typu SiC N

6-calowy wafel epitaksjalny SiC

Chiny Wafel epitaksjalny Sic

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC 47,5 mm ± 1,5 mm

2-calowe podłoże SiC 350μm dla wymagających energoelektroniki

0,015 Ω•cm — 0,025 Ω•cm Wafel epitaksjalny SiC C-Face Polerowanie optyczne Si-Face CMP

Brak wtórnego płaskiego podłoża SiC 150,0 mm 47,5 mm

Polityp Brak Dozwolony Wafel epitaksjalny SiC P-MOS P-SBD D Grade

Podłoże z węglika krzemu o grubości 260 μm Poziom P dla urządzeń zasilających i urządzeń mikrofalowych

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Epitaksjalny wafel SiC Forma kryształu 4H

P MOS klasa 2 cale SiC Epi płytka P poziom P SBD klasa D klasa 150.0mm

Wafel epitaksjalny 4H SiC ≤0,2 /cm2 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 150,0 mm +0mm/-0,2mm

2-calowy półprzewodnikowy wafel P Poziom 260 μm do urządzeń zasilających Urządzenia mikrofalowe

4H SiC Epitaksjalny wafel SiC Podłoże waflowe do urządzeń fotonicznych ISO9001

6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP