Wyślij wiadomość

Polish

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Poprosić o wycenę |

Wafel silikonowy

Chiny Wafel silikonowy

JDCD06-001-005 6-calowe urządzenia MEMS z płytką krzemową, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych

Średnica:6"

Stopień:główny

metoda wzrostu:CZ
JDCD06-001-004 5-calowe urządzenia MEMS z płytką krzemową, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych

Średnica:5"

Stopień:główny

metoda wzrostu:CZ

Page 3 of 3|< << 1 2 3 >> >|

kategorie wyszukiwania：

Płytka epitaksjalna GaN
Wafel epitaksjalny Sic
Wafel GaAs Epi
Podłoża diamentowe CVD
System szybkiego wyżarzania termicznego
Tester czujnika efektu Halla
Płytka z azotku glinu
Układ diody laserowej
Kryształ węglika krzemu
Wafel Ga2O3
Wafel silikonowy
Szafirowy Opłatek
Wzorzyste podłoża szafirowe
Uchwyt na wafle owe
Maszyna do krojenia wafli

O

Płytka epitaksjalna GaN: 2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący; Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF; 2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic: Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um; Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.