Dom Produkty

Wafel silikonowy

Chiny Wafel silikonowy

Urządzenia dyskretne 2-calowa grubość płytki krzemowej 675um 725um 775um

Średnica:2"

Stopień:główny

metoda wzrostu:CZ
775um 725um 675um 8-calowe półprzewodnikowe urządzenia półprzewodnikowe

Średnica:2"

Stopień:główny

metoda wzrostu:CZ
2-calowy półprzewodnikowy wafel krzemowy o grubości 279 μm

Średnica:2"

Orientacja:<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>

Typ/Domieszka:Typ P/bor, typ N/fos, typ N/As, typ N/Sb
Urządzenia MEMS Podłoża krzemowe Układy scalone Dedykowane

Średnica:2"

Stopień:główny

metoda wzrostu:CZ
JDCD06-001-003 4-calowe urządzenia MEMS z płytką krzemową, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych

Średnica:4"

Stopień:główny

metoda wzrostu:CZ
JDCD06-001-002 3-calowe urządzenia MEMS z płytką krzemową, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych

Średnica:3"

Stopień:główny

metoda wzrostu:CZ
JDCD07-001-003 6-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS

Orientacja:<100>,<111>

Typ/Domieszka:Typ P/Boron, Typ N/Phos, Typ N/As, Typ N/Sb

Grubość (μm):300-725
JDCD07-001-004 7-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS

Średnica:7"

Orientacja:<100>,<111>

Typ/Domieszka:Typ P/Boron, Typ N/Phos, Typ N/As, Typ N/Sb
JDCD07-001-002 5-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS

Orientacja:<100>,<111>

Typ/Domieszka:Typ P/Boron, Typ N/Phos, Typ N/As, Typ N/Sb

Jednolitość:<5%
JDCD07-001-001 4-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS

Średnica:4"

Orientacja:<100>,<111>

Typ/Domieszka:Typ P/Boron, Typ N/Phos, Typ N/As, Typ N/Sb
JDCD06-001-007 12-calowe urządzenia MEMS z płytkami krzemowymi, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych

Średnica:12"

Stopień:główny

metoda wzrostu:CZ
JDCD06-001-006 8-calowe urządzenia MEMS z płytkami krzemowymi, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych

Średnica:8"

Stopień:główny

metoda wzrostu:CZ

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

kategorie wyszukiwania：

Płytka epitaksjalna GaN
Wafel epitaksjalny Sic
Wafel GaAs Epi
Podłoża diamentowe CVD
System szybkiego wyżarzania termicznego
Tester czujnika efektu Halla
Płytka z azotku glinu
Układ diody laserowej
Kryształ węglika krzemu
Wafel Ga2O3
Wafel silikonowy
Szafirowy Opłatek
Wzorzyste podłoża szafirowe
Uchwyt na wafle owe
Maszyna do krojenia wafli

Wafel silikonowy

Chiny Wafel silikonowy

Urządzenia dyskretne 2-calowa grubość płytki krzemowej 675um 725um 775um

775um 725um 675um 8-calowe półprzewodnikowe urządzenia półprzewodnikowe

2-calowy półprzewodnikowy wafel krzemowy o grubości 279 μm

Urządzenia MEMS Podłoża krzemowe Układy scalone Dedykowane

JDCD06-001-003 4-calowe urządzenia MEMS z płytką krzemową, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych

JDCD06-001-002 3-calowe urządzenia MEMS z płytką krzemową, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych

JDCD07-001-003 6-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS

JDCD07-001-004 7-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS

JDCD07-001-002 5-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS

JDCD07-001-001 4-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS

JDCD06-001-007 12-calowe urządzenia MEMS z płytkami krzemowymi, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych

JDCD06-001-006 8-calowe urządzenia MEMS z płytkami krzemowymi, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP