Poprosić o wycenę |
Dom Produktyn type sic crystal producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

n type sic crystal produkcja online

(26)
kupić 0,015ohm.cm do 0,028ohm.cm Kryształ węglika krzemu typu N. w Internecie producent

0,015ohm.cm do 0,028ohm.cm Kryształ węglika krzemu typu N.
Kontakt

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:16
kupić 6-calowy wafel epitaksjalny SiC w Internecie producent

6-calowy wafel epitaksjalny SiC
Kontakt

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Czytaj więcej
2022-10-09 16:56:20
kupić 47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do<11-20>±1° w Internecie producent

47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do<11-20>±1°
Kontakt

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić JDZJ01-001-002 Sztabka SiC Crystal 4 &quot;klasa D w Internecie producent

JDZJ01-001-002 Sztabka SiC Crystal 4 "klasa D
Kontakt

SiC ingot crystal 4" P grade SiC devices can operate at high frequencies (RF and microwave) because of the high saturated electron drift velocity of SiC. SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:20
kupić 4-calowa rezystywność kryształu węglika krzemu klasy P 0,015 oma. cm do 0,028 oma. cm w Internecie producent

4-calowa rezystywność kryształu węglika krzemu klasy P 0,015 oma. cm do 0,028 oma. cm
Kontakt

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:35:24
kupić 4 calowe podłoże 4H-SiC Poziom P Typ N 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Rezystywność 0,015 Ω•Cm — 0,025 Ω•Cm w Internecie producent

4 calowe podłoże 4H-SiC Poziom P Typ N 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Rezystywność 0,015 Ω•Cm — 0,025 Ω•Cm
Kontakt

4inch 4H-SiC substrate D-level N-Type 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview High Temperature Devices Because SiC has a high thermal conductivity, SiC ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:25
kupić 100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 &quot;P Klasa 18,0 mm w Internecie producent

100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 18,0 mm
Kontakt

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:26
kupić JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6 &quot;klasa P w Internecie producent

JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6 "klasa P
Kontakt

SiC ingot crystal 6" Pgrade Silicon carbide, exceedingly hard, synthetically produced crystalline compound of silicon and carbon. Its chemical formula is SiC. Since the late 19th century silicon carbide has ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:42:33
kupić Podstawowa płaska długość 32,5 mm Kryształ węglika krzemu 4 &quot;P Klasa 100,0 mm w Internecie producent

Podstawowa płaska długość 32,5 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 100,0 mm
Kontakt

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:05
kupić 100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 &quot;P Grade Politype 4H w Internecie producent

100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Grade Politype 4H
Kontakt

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Czytaj więcej
2022-10-09 10:12:00
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.