Poprosić o wycenę |
Dom Produktyn type sic crystal producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

n type sic crystal produkcja online

(26)
kupić 4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4" P Grade Si Face w Internecie producent

4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4" P Grade Si Face
Kontakt

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:35
kupić 2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF w Internecie producent

2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF
Kontakt

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices Overview Gallium Nitride (GaN) epitaxial wafers (epi-wafers). GaN high-electron-mobility transistors ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:44
kupić 2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący w Internecie producent

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący
Kontakt

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The growth characteristics of Fe-doped GaN epitaxial layers on semi-insulating SiC (001) substrates ... Czytaj więcej
2024-10-14 17:06:30
kupić Poziom P SI Typ 6 cali 4H SiC Półizolacyjne podłoże 150 mm w Internecie producent

Poziom P SI Typ 6 cali 4H SiC Półizolacyjne podłoże 150 mm
Kontakt

P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power and microwave ... Czytaj więcej
2022-10-24 10:21:46
kupić Chropowatość powierzchni czołowej GaN na podłożu GaN z płytki krzemowej w Internecie producent

Chropowatość powierzchni czołowej GaN na podłożu GaN z płytki krzemowej
Kontakt

M Face Free-Standing GaN Substrates Front Surface Roughness < 0.2 Nm (Polished) Or < 0.3 nm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser ... Czytaj więcej
2022-10-08 17:19:48
kupić SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um w Internecie producent

SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um
Kontakt

5 x 10mm2 Free-standing GaN Substrates 350 ±25 µm From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices ... Czytaj więcej
2022-10-08 16:41:01
Page 3 of 3|< 1 2 3 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.