Poprosić o wycenę |
Dom Produktygallium nitride semiconductor wafer producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

gallium nitride semiconductor wafer produkcja online

(35)
kupić 2-calowy wolnostojący półprzewodnikowy wafel z azotku galu o średnicy 50,8 mm w Internecie producent

2-calowy wolnostojący półprzewodnikowy wafel z azotku galu o średnicy 50,8 mm
Kontakt

50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer ... Czytaj więcej
2022-10-08 17:22:16
kupić Wafel półprzewodnikowy z azotku galu 325um 375um C Samolot w Internecie producent

Wafel półprzewodnikowy z azotku galu 325um 375um C Samolot
Kontakt

2-inch Free-standing SI-GaN Substrates An epitaxial wafer (also called epi wafer, epi-wafer, or epiwafer) is a wafer of semiconducting material made by epitaxial growth (epitaxy) for use in photonics, ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:57
kupić Półprzewodnikowy półprzewodnikowy azotek galu z pojedynczym kryształem TTV 10um w Internecie producent

Półprzewodnikowy półprzewodnikowy azotek galu z pojedynczym kryształem TTV 10um
Kontakt

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN substrate has a damage-free, very flat (Rms < 0.2 nm), controlled surface ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:57
kupić Wafel z monokrystalicznego azotku galu GaN typu SI w Internecie producent

Wafel z monokrystalicznego azotku galu GaN typu SI
Kontakt

5*10.5mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal ... Czytaj więcej
2022-10-08 15:51:24
kupić Jednokrystaliczna płytka Gan Epi Substrat z azotkiem galium 4 cali w Internecie producent

Jednokrystaliczna płytka Gan Epi Substrat z azotkiem galium 4 cali
Kontakt

Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material... Czytaj więcej
2024-12-06 17:44:01
kupić Półprzewodnikowe podłoże z monokrystalicznego tlenku galu Doping UID w Internecie producent

Półprzewodnikowe podłoże z monokrystalicznego tlenku galu Doping UID
Kontakt

Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm FWHM Czytaj więcej
2022-10-09 10:30:43
kupić Jednostronnie polerowane podłoże monokrystaliczne waflowe Ga2O3 w Internecie producent

Jednostronnie polerowane podłoże monokrystaliczne waflowe Ga2O3
Kontakt

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić 375 um GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża U-GaN SI-GaN w Internecie producent

375 um GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża U-GaN SI-GaN
Kontakt

350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview ... Czytaj więcej
2024-11-18 19:17:19
kupić 2 cali GaN na silikonowej zielonej płytce Epi z galliowym azotkiem na silikonie w Internecie producent

2 cali GaN na silikonowej zielonej płytce Epi z galliowym azotkiem na silikonie
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:35:32
kupić 4 cali uGaN na nitrydzie galium niezdopiowanym z krzemu na płytce krzemowej w Internecie producent

4 cali uGaN na nitrydzie galium niezdopiowanym z krzemu na płytce krzemowej
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:33:43
Page 1 of 4|< 1 2 3 4 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.