Poprosić o wycenę |
Dom Produktygallium nitride semiconductor wafer producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

gallium nitride semiconductor wafer produkcja online

(35)
kupić FWHM w Internecie producent

FWHM
Kontakt

FWHM Czytaj więcej
2023-02-17 14:17:37
kupić 4-calowe substraty GaN/Sapphire z domieszką Mg Rezystywność SSP ~ 10Ω cm Laser LED PIN Epitaksjalny wafel w Internecie producent

4-calowe substraty GaN/Sapphire z domieszką Mg Rezystywność SSP ~ 10Ω cm Laser LED PIN Epitaksjalny wafel
Kontakt

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:47
kupić 2 cali zielona dioda LED GaN na płytce krzemowej wymiar 520±10nm w Internecie producent

2 cali zielona dioda LED GaN na płytce krzemowej wymiar 520±10nm
Kontakt

2inch Green-LED GaN on silicon wafer Overview Gallium nitride (GaN) is creating an innovative shift throughout the power electronics world. For decades, silicon-based MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupić Wymiar 520 ± 10 nm 2-calowy zielony GaN LED na płytce krzemowej 20 nm Warstwa kontaktowa w Internecie producent

Wymiar 520 ± 10 nm 2-calowy zielony GaN LED na płytce krzemowej 20 nm Warstwa kontaktowa
Kontakt

2inch Green-LED GaN on silicon wafer Overview Gallium nitride (GaN) is creating an innovative shift throughout the power electronics world. For decades, silicon-based MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:39
kupić Ra 0,3 nm Ga2O3 Pojedynczy kryształ Epitaksjalny wafel 2 cale 4 cale w Internecie producent

Ra 0,3 nm Ga2O3 Pojedynczy kryształ Epitaksjalny wafel 2 cale 4 cale
Kontakt

Ra≤0.3nm Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm Orientation (-201) 10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec... Czytaj więcej
2023-02-17 14:34:04
kupić Podłoże jednokrystaliczne z domieszką Ga2O3 Fe 10x10mm2 Wolnostojące w Internecie producent

Podłoże jednokrystaliczne z domieszką Ga2O3 Fe 10x10mm2 Wolnostojące
Kontakt

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Czytaj więcej
2022-10-09 10:34:19
kupić 0,6 mm 0,8 mm Ga2O3 Pojedyncze polerowanie podłoża monokrystalicznego w Internecie producent

0,6 mm 0,8 mm Ga2O3 Pojedyncze polerowanie podłoża monokrystalicznego
Kontakt

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić Jednostronnie polerowane podłoże Ga2O3 Grubość pojedynczego kryształu 0,6 mm 0,8 mm w Internecie producent

Jednostronnie polerowane podłoże Ga2O3 Grubość pojedynczego kryształu 0,6 mm 0,8 mm
Kontakt

Single side polished Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm 10x15mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0... Czytaj więcej
2023-02-17 14:30:35
kupić 10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Makro Defect Density 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Rezystywność 106 Ω·Cm Urządzenia RF Wafer w Internecie producent

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Makro Defect Density 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Rezystywność 106 Ω·Cm Urządzenia RF Wafer
Kontakt

10*10.5mm2 C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview We sell directly from the factory, and therefore can offer the best prices on the ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Jednokrystaliczny podłoże Produkty klasy pojedynczego polerowania w Internecie producent

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Jednokrystaliczny podłoże Produkty klasy pojedynczego polerowania
Kontakt

10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
Page 3 of 4|< 1 2 3 4 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.