Poprosić o wycenę |
Dom Produktyn type sic epitaxial wafer producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

n type sic epitaxial wafer produkcja online

(23)
kupować 2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący w Internecie producent

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący
Kontakt

Czytaj więcej
2024-10-14 17:06:30
kupować Podłoże 350um 4H SiC w Internecie producent

Podłoże 350um 4H SiC
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-09 16:57:57
kupować Podłoże typu SiC N w Internecie producent

Podłoże typu SiC N
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-09 16:57:15
kupować 6 cali 4H SiC Podłoże N Typ P SBD Klasa 350μm w Internecie producent

6 cali 4H SiC Podłoże N Typ P SBD Klasa 350μm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:23:04
kupować 6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego w Internecie producent

6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:26:17
kupować Typ N 6 cali 4H Podłoże z węglika krzemu Podstawowa płaska długość 47,5 mm w Internecie producent

Typ N 6 cali 4H Podłoże z węglika krzemu Podstawowa płaska długość 47,5 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:22:34
kupować Podłoże półizolacyjne 150 mm 4H SiC waflowe 6 cali 350 μm w Internecie producent

Podłoże półizolacyjne 150 mm 4H SiC waflowe 6 cali 350 μm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:22:12
kupować 4 calowe podłoże 4H-SiC Poziom P Typ N 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Rezystywność 0,015 Ω•Cm — 0,025 Ω•Cm w Internecie producent

4 calowe podłoże 4H-SiC Poziom P Typ N 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Rezystywność 0,015 Ω•Cm — 0,025 Ω•Cm
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:25
kupować 6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um w Internecie producent

6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:21:10
kupować Chropowatość powierzchni czołowej GaN na podłożu GaN z płytki krzemowej w Internecie producent

Chropowatość powierzchni czołowej GaN na podłożu GaN z płytki krzemowej
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-08 17:19:48
Page 2 of 3|< 1 2 3 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.