Poprosić o wycenę |
Dom Produktysemiconductor gallium arsenide wafer producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

semiconductor gallium arsenide wafer produkcja online

(10)
kupić Półprzewodnikowy związek 2-calowy GaAs Epi Wafel GaAs Si Wafel UKAS w Internecie producent

Półprzewodnikowy związek 2-calowy GaAs Epi Wafel GaAs Si Wafel UKAS
Kontakt

GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some diode s, field-effect transistor s (FETs), ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:18:19
kupić 18 mm GaAs Si Wafer 2-calowy GaAs Niedomieszkowane substraty VGF S-C-N w Internecie producent

18 mm GaAs Si Wafer 2-calowy GaAs Niedomieszkowane substraty VGF S-C-N
Kontakt

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Czytaj więcej
2022-10-09 09:53:40
kupić Wafery epitaksyalne GaN niezbędne do produkcji chipów wysokonapięciowych o wysokiej częstotliwości w Internecie producent

Wafery epitaksyalne GaN niezbędne do produkcji chipów wysokonapięciowych o wysokiej częstotliwości
Kontakt

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:47:04
kupić 2 ′′ 6-calowy N-typ GaN Na Sapphire Epitaxial Wafer dla urządzenia LED Laser PIN w Internecie producent

2 ′′ 6-calowy N-typ GaN Na Sapphire Epitaxial Wafer dla urządzenia LED Laser PIN
Kontakt

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:48:43
kupić 2-calowy półprzewodnikowy wafel P Poziom 260 μm do urządzeń zasilających Urządzenia mikrofalowe w Internecie producent

2-calowy półprzewodnikowy wafel P Poziom 260 μm do urządzeń zasilających Urządzenia mikrofalowe
Kontakt

JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for ... Czytaj więcej
2022-10-24 10:25:55
kupić 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Epitaksjalny wafel SiC Forma kryształu 4H w Internecie producent

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Epitaksjalny wafel SiC Forma kryształu 4H
Kontakt

150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... Czytaj więcej
2022-10-24 10:20:57
kupić 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC 47,5 mm ± 1,5 mm w Internecie producent

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC 47,5 mm ± 1,5 mm
Kontakt

150.0mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer 47.5 mm ± 1.5 mm Overview Because SiC has a high thermal conductivity, SiC dissipates heat more rapidly than other semiconductor materials. This enables ... Czytaj więcej
2022-10-24 10:23:40
kupić 6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um w Internecie producent

6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um
Kontakt

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Czytaj więcej
2022-10-24 10:21:10
kupić JDCD10-001-002 Substraty dopingowane GaAs (100) Si w Internecie producent

JDCD10-001-002 Substraty dopingowane GaAs (100) Si
Kontakt

2inch GaAs (100) Si-doped substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić System grzewczy RTP-SA-8 w Internecie producent

System grzewczy RTP-SA-8
Kontakt

1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:48:00
Page 1 of 1
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.