 |
Półprzewodnikowy związek 2-calowy GaAs Epi Wafel GaAs Si Wafel UKAS2022-09-27 17:18:19 |
|
|
18 mm GaAs Si Wafer 2-calowy GaAs Niedomieszkowane substraty VGF S-C-N2022-10-09 09:53:40 |
|
|
|
|
|
|
|
|
150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Epitaksjalny wafel SiC Forma kryształu 4H2022-10-24 10:20:57 |
|
|
150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC 47,5 mm ± 1,5 mm2022-10-24 10:23:40 |
|
|
6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um2022-10-24 10:21:10 |
|
|
JDCD10-001-002 2-calowe podłoża GaAs (100) z domieszką krzemu2022-10-09 09:52:57 |
|
|
System grzewczy RTP-SA-82024-12-06 17:48:00 |
