Poprosić o wycenę |
Dom Produktysic epitaxial wafer c face producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

sic epitaxial wafer c face produkcja online

(33)
kupować 6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego w Internecie producent

6-calowe podłoże typu 4H SiC N 47,5 mm Brak wtórnego płaskiego
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:26:17
kupować Podłoże z węglika krzemu o grubości 260 μm Poziom P dla urządzeń zasilających i urządzeń mikrofalowych w Internecie producent

Podłoże z węglika krzemu o grubości 260 μm Poziom P dla urządzeń zasilających i urządzeń mikrofalowych
Kontakt

Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupować 4 cali 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Rezystywność≥1E9Ω·Cm Dla mocy mikrofalowej w Internecie producent

4 cali 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Rezystywność≥1E9Ω·Cm Dla mocy mikrofalowej
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupować Podłoże półizolacyjne 150 mm 4H SiC waflowe 6 cali 350 μm w Internecie producent

Podłoże półizolacyjne 150 mm 4H SiC waflowe 6 cali 350 μm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:22:12
kupować Brak wtórnego płaskiego podłoża SiC 150,0 mm 47,5 mm w Internecie producent

Brak wtórnego płaskiego podłoża SiC 150,0 mm 47,5 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:24:09
kupować 4 cali 4H-SiC Substrat poziomu P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Rezystywność≥1E5Ω·cm Dla mocy mikrofalowej w Internecie producent

4 cali 4H-SiC Substrat poziomu P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Rezystywność≥1E5Ω·cm Dla mocy mikrofalowej
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupować 4 calowe podłoże 4H-SiC Poziom P Typ N 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Rezystywność 0,015 Ω•Cm — 0,025 Ω•Cm w Internecie producent

4 calowe podłoże 4H-SiC Poziom P Typ N 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Rezystywność 0,015 Ω•Cm — 0,025 Ω•Cm
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:25
kupować 2-calowy półprzewodnikowy wafel P Poziom 260 μm do urządzeń zasilających Urządzenia mikrofalowe w Internecie producent

2-calowy półprzewodnikowy wafel P Poziom 260 μm do urządzeń zasilających Urządzenia mikrofalowe
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:25:55
kupować 6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um w Internecie producent

6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:21:10
kupować 2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF w Internecie producent

2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:44
Page 3 of 4|< 1 2 3 4 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.