Poprosić o wycenę |
Dom Produktysilicon carbide crystal 4h producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

silicon carbide crystal 4h produkcja online

(28)
kupić 100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Grade Politype 4H w Internecie producent

100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Grade Politype 4H
Kontakt

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Czytaj więcej
2022-10-09 10:12:00
kupić 4-calowa rezystywność kryształu węglika krzemu klasy P 0,015 oma. cm do 0,028 oma. cm w Internecie producent

4-calowa rezystywność kryształu węglika krzemu klasy P 0,015 oma. cm do 0,028 oma. cm
Kontakt

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:35:24
kupić 100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 18,0 mm w Internecie producent

100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 18,0 mm
Kontakt

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:26
kupić Podstawowa płaska długość 32,5 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 100,0 mm w Internecie producent

Podstawowa płaska długość 32,5 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 100,0 mm
Kontakt

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:05
kupić 0,015ohm.cm do 0,028ohm.cm Kryształ węglika krzemu typu N. w Internecie producent

0,015ohm.cm do 0,028ohm.cm Kryształ węglika krzemu typu N.
Kontakt

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:16
kupić 6 cali 4H SiC Podłoże N Typ P SBD Klasa 350μm w Internecie producent

6 cali 4H SiC Podłoże N Typ P SBD Klasa 350μm
Kontakt

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Czytaj więcej
2022-10-24 10:23:04
kupić Typ N 6 cali 4H Podłoże z węglika krzemu Podstawowa płaska długość 47,5 mm w Internecie producent

Typ N 6 cali 4H Podłoże z węglika krzemu Podstawowa płaska długość 47,5 mm
Kontakt

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide (SiC) is a covalent network solid. If we look at its ... Czytaj więcej
2022-10-24 10:22:34
kupić 4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4" P Grade Si Face w Internecie producent

4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4" P Grade Si Face
Kontakt

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:35
kupić Podłoże z węglika krzemu o grubości 260 μm Poziom P dla urządzeń zasilających i urządzeń mikrofalowych w Internecie producent

Podłoże z węglika krzemu o grubości 260 μm Poziom P dla urządzeń zasilających i urządzeń mikrofalowych
Kontakt

4H-N/SI260μm±25μm 2-Inch SiC Substrate P-Level For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview We ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić Poziom P SI Typ 6 cali 4H SiC Półizolacyjne podłoże 150 mm w Internecie producent

Poziom P SI Typ 6 cali 4H SiC Półizolacyjne podłoże 150 mm
Kontakt

P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power and microwave ... Czytaj więcej
2022-10-24 10:21:46
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.