Poprosić o wycenę |
Dom Produktywafer cassette carrier producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

wafer cassette carrier produkcja online

(9)
kupić 6-calowy uchwyt na wafle owe do czyszczenia koszy kwiatowych i uchwytów w Internecie producent

6-calowy uchwyt na wafle owe do czyszczenia koszy kwiatowych i uchwytów
Kontakt

6inch Wafer Holder Cleaning Flower Baskets And Handles PFA Cassette / Cassette of wafer can be customized and designed by customers’ request, able to resist strong acid, strong hydrofluoric acid, strong base ... Czytaj więcej
2022-10-09 10:46:01
kupić 4-calowy GaN typu N z domieszką Si na płytce szafirowej Rezystywność SSP w Internecie producent

4-calowy GaN typu N z domieszką Si na płytce szafirowej Rezystywność SSP
Kontakt

4 inch N-type Si-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity＜0.05 Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer For lightly Si-doped GaN ([Si] = 2.1 × 1016 cm−3), the room temperature (RT) electron mobility was as high ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:42:55
kupić 4-calowe substraty GaN/Sapphire z domieszką Mg Rezystywność SSP ~ 10Ω cm Laser LED PIN Epitaksjalny wafel w Internecie producent

4-calowe substraty GaN/Sapphire z domieszką Mg Rezystywność SSP ~ 10Ω cm Laser LED PIN Epitaksjalny wafel
Kontakt

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:47
kupić 4-calowy GaN z domieszką UID typu N na płytce szafirowej Rezystywność SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, płytka epitaksjalna PIN w Internecie producent

4-calowy GaN z domieszką UID typu N na płytce szafirowej Rezystywność SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, płytka epitaksjalna PIN
Kontakt

4 inch N-type UID-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity＞0.5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:54
kupić 4-calowy GaN typu P z domieszką Mg na szafirowym waflu SSP Rezystywność ~ 10Ω Cm LED Laser PIN Epitaksjalny wafel w Internecie producent

4-calowy GaN typu P z domieszką Mg na szafirowym waflu SSP Rezystywność ~ 10Ω Cm LED Laser PIN Epitaksjalny wafel
Kontakt

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer The electrical properties of p-type Mg-doped GaN are investigated through variable-temperature Hall effect ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:49
kupić Półprzewodnikowy związek 2-calowy GaAs Epi Wafel GaAs Si Wafel UKAS w Internecie producent

Półprzewodnikowy związek 2-calowy GaAs Epi Wafel GaAs Si Wafel UKAS
Kontakt

GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some diode s, field-effect transistor s (FETs), ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:18:19
kupić 18 mm GaAs Si Wafer 2-calowy GaAs Niedomieszkowane substraty VGF S-C-N w Internecie producent

18 mm GaAs Si Wafer 2-calowy GaAs Niedomieszkowane substraty VGF S-C-N
Kontakt

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Czytaj więcej
2022-10-09 09:53:40
kupić 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Epitaksjalny wafel SiC Forma kryształu 4H w Internecie producent

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Epitaksjalny wafel SiC Forma kryształu 4H
Kontakt

150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... Czytaj więcej
2022-10-24 10:20:57
kupić 2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN w Internecie producent

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN
Kontakt

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices To reduce the Fe trapping carrier and the sheet resistances of the two-dimension electron gas generated ... Czytaj więcej
2024-10-14 17:06:30
Page 1 of 1
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.