Wyślij wiadomość
Poprosić o wycenę |
Dom Produktyfree standing gan substrates producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(62)

Wafel epitaksjalny Sic

(28)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

free standing gan substrates produkcja online

(54)
kupować 5*10mm2 M-Face bez domieszki typu SI wolnostojący monokrystaliczny GaN rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Płytki urządzeń RF w Internecie producent

5*10mm2 M-Face bez domieszki typu SI wolnostojący monokrystaliczny GaN rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Płytki urządzeń RF
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:19:21
kupować 5*10mm2 A-Face, bez domieszki, wolnostojący GaN typu N, pojedynczy kryształ, rezystywność podłoża w Internecie producent

5*10mm2 A-Face, bez domieszki, wolnostojący GaN typu N, pojedynczy kryształ, rezystywność podłoża
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:15:40
kupować 5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:18:39
kupować 5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża &gt; 10⁶ Ω·Cm Urządzenie RF w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenie RF
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:17:49
kupować 5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 11:06:00
kupować 5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża &gt; 10⁶Ω·Cm Urządzenie RF w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶Ω·Cm Urządzenie RF
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:13:23
kupować 5*10mm2 A-face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny substrat GaN typu n Rezystywność &lt; 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser w Internecie producent

5*10mm2 A-face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny substrat GaN typu n Rezystywność < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:17:24
kupować 5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:18:12
kupować 5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża &lt; 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilające w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża < 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilające
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 11:08:54
kupować 5*10mm2 SP-Face (20-21)/(20-2-1) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża &lt; 0,05 Ω·cm w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (20-21)/(20-2-1) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 11:10:47
Page 3 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2024 epi-wafers.com. All Rights Reserved.