Dom Produktyfree standing gan substrates producent online

Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN
(62)

Wafel epitaksjalny Sic
(28)

Wafel GaAs Epi
(15)

Podłoża diamentowe CVD
(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego
(2)

Tester czujnika efektu Halla
(3)

Płytka z azotku glinu
(21)

Układ diody laserowej
(10)

Kryształ węglika krzemu
(12)

Wafel Ga2O3
(13)

Wafel silikonowy
(26)

Szafirowy Opłatek
(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe
(10)

Uchwyt na wafle owe
(1)

Maszyna do krojenia wafli
(5)

Orzecznictwo

Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty

Im Online Czat teraz

free standing gan substrates produkcja online

(54)

10*10,5 mm2 GaN Single Crystal Substrat Grubość 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm
Kontakt

Czytaj więcej

2022-10-25 15:04:09

10*10,5 mm2 GaN Pojedyncze podłoże kryształowe Płaszczyzna C (0001) Kąt odchylenia w kierunku osi M 0,35 ± 0,15°
Kontakt

Czytaj więcej

2022-10-25 15:06:26

Wafel półprzewodnikowy z azotku galu 325um 375um C Samolot
Kontakt

Czytaj więcej

2023-03-22 16:44:02

Półprzewodnikowy półprzewodnikowy azotek galu z pojedynczym kryształem TTV 10um
Kontakt

Czytaj więcej

2023-02-17 17:57:41

Page 6 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Płytka epitaksjalna GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Wafel GaAs Epi

Podłoża diamentowe CVD

System szybkiego wyżarzania termicznego

Tester czujnika efektu Halla

Płytka z azotku glinu

Układ diody laserowej

Kryształ węglika krzemu

Wafel Ga2O3

Wafel silikonowy

Szafirowy Opłatek

Wzorzyste podłoża szafirowe

Uchwyt na wafle owe

Maszyna do krojenia wafli

free standing gan substrates produkcja online

10*10,5 mm2 GaN Single Crystal Substrat Grubość 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm
Kontakt

10*10,5 mm2 GaN Pojedyncze podłoże kryształowe Płaszczyzna C (0001) Kąt odchylenia w kierunku osi M 0,35 ± 0,15°
Kontakt

Wafel półprzewodnikowy z azotku galu 325um 375um C Samolot
Kontakt

Półprzewodnikowy półprzewodnikowy azotek galu z pojedynczym kryształem TTV 10um
Kontakt

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP